[实用新型]电流过零点检测电路、驱动电路以及开关电源有效

专利信息
申请号: 201320827726.3 申请日: 2013-12-13
公开(公告)号: CN203883691U 公开(公告)日: 2014-10-15
发明(设计)人: 张炜;周松明;张铮栋;刘准;朱亚江 申请(专利权)人: 上海新进半导体制造有限公司
主分类号: H02M7/217 分类号: H02M7/217;H02M3/335;G01R19/175
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 200000 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 流过 零点 检测 电路 驱动 以及 开关电源
【权利要求书】:

1.一种电流过零点检测电路,应用于开关电源,所述开关电源包括:整流桥、第一功率开关管、第二功率开关管以及开关控制电路,其特征在于: 

所述电流过零点检测电路串接在所述第一功率开关管的源极与所述开关控制电路的输入端之间,用于检测所述第一功率开关管的源极电压的下降斜率,并将所述下降斜率转化为第一电压与预设电压进行比较,输出一次级二极管电流过零点信号至所述开关控制电路,控制所述第二功率开关管的开启或关断。 

2.根据权利要求1所述的电流过零点检测电路,其特征在于,包括:第一电容、电流检测电路、电流转电压电路以及比较器; 

所述第一电容的第一端与所述第一功率开关管的源极相连,在所述第一功率开关管的源极电压下降时,所述第一电容放电,产生第一电流; 

所述电流检测电路的输入端与所述第一电容的第二端相连,检测所述第一电流; 

所述电流转电压电路的输入端与所述电流检测电路的输出端相连,将所述第一电流转化为所述第一电压; 

所述比较器的同相输入端接所述预设电压,所述比较器的反相输入端与所述电流转电压电路的输出端相连,用于比较所述第一电压与所述预设电压的大小,产生所述次级二极管电流过零点信号。 

3.根据权利要求2所述的电流过零点检测电路,其特征在于,所述电流检测电路包括:第一MOS管、第三MOS管以及第二电容; 

所述第一MOS管的源极接外接电压,所述第一MOS管的栅极作为所述电流检测电路的输出端,所述第一MOS管的漏极分别与所述第二电容的第一端以及所述第一MOS管的栅极相连,所述第二电容的第二端与所述第三MOS管的源极相连,所述第三MOS管的漏极作为所述电流检测电路的输入端,所述第三MOS管的栅极接偏置电压。 

4.根据权利要求2所述的电流过零点检测电路,其特征在于,所述电流转电压电路包括:第二MOS管、第三电容以及第一电阻; 

所述第二MOS管的源极接外接电压,所述第二MOS管的栅极作为所述电流转电压电路的输入端,所述第二MOS管的漏极分别与所述第三电容的第 一端以及所述第一电阻的第一端相连,且作为所述电流转电压电路的输出端,所述第三电容的第二端以及所述第一电阻的第二端均接地。 

5.根据权利要求1所述的电流过零点检测电路,其特征在于,所述预设电压为基准电压源产生的一基准电压。 

6.一种驱动电路,其特征在于,包括:整流桥、第一功率开关管、第二功率开关管、开关控制电路以及电流过零点检测电路; 

所述整流桥的输出端通过串接的所述第一功率开关管以及所述第二功率开关管接地; 

所述电流过零点检测电路串接在所述第一功率开关管的源极和所述开关控制电路的输入端之间; 

所述开关控制电路的输出端与所述第二功率开关管的栅极相连,所述开关控制电路的控制端与所述第二功率开关管的源极相连。 

7.根据权利要求6所述的驱动电路,其特征在于,所述电流过零点检测电路包括:第一电容、电流检测电路、电流转电压电路以及比较器; 

所述第一电容的第一端与所述第一功率开关管的源极相连,在所述第一功率开关管的源极电压下降时,所述第一电容放电,产生第一电流; 

所述电流检测电路的输入端与所述第一电容的第二端相连,检测所述第一电流; 

所述电流转电压电路的输入端与所述电流检测电路的输出端相连,将所述第一电流转化为第一电压; 

所述比较器的同相输入端接预设电压,所述比较器的反相输入端与所述电流转电压电路的输出端相连,用于比较所述第一电压与所述预设电压的大小,产生次级二极管电流过零点信号。 

8.根据权利要求7所述的驱动电路,其特征在于,所述电流检测电路包括:第一MOS管、第三MOS管以及第二电容; 

所述第一MOS管的源极接外接电压,所述第一MOS管的栅极作为所述电流检测电路的输出端,所述第一MOS管的漏极分别与所述第二电容的第一端以及所述第一MOS管的栅极相连,所述第二电容的第二端与所述第三MOS管的源极相连,所述第三MOS管的漏极作为所述电流检测电路的输入端,所述第三MOS管的栅极接偏置电压。 

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新进半导体制造有限公司,未经上海新进半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320827726.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top