[实用新型]一种系统级LED封装器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种LED封装器件，尤其涉及一种系统级LED封装器件。

背景技术

近年来，白光LED发展迅速，以其节能、环保、寿命长等优势，将逐渐占据整个照明市场，被称为21世纪新一代光源。现今LED应用大多应用直流驱动，需要一个电源转换器，将交流电转换为直流电，而电源转化器的引入，首先会造成LED寿命的降低；其次会使得电路复杂。违背了现今半导体产业通过技术设计、封装工艺，使得电子元器件更微型化、小型化的过程。并且一般驱动电路体积较大，会占据灯具内部空间，不容易将灯具做小。且驱动电路与LED基板之间需要外部走线连接，工序繁多复杂。

中国专利CN202852470U公开了一种新型LED芯片模块，采用COB集成封装结构，并集成了驱动电路，实现了LED模块的集成化。但是由于该实用新型是将所有元件都集成在同一块铝基板或铜基板的一面，本来LED芯片发热量就比较大，加之与其他电气元件一同设置在铝基板或铜基板上，不利于散热，而且基板表面的线路布置比较复杂。

实用新型内容

本实用新型针对以上现有技术之不足，提供了一种系统级LED封装器件，其包括LED芯片和硅基板，其特征在于，所述硅基板包括两块上下设置的第一硅基板和第二硅基板，所述LED芯片和功能控制元件分别以固晶、表面贴装、软封装、引脚式封装、微型封装、双列直插式封装和/或功率型封装的方式设置在第一硅基板和第二硅基板上，使得所述系统级LED封装器件实现高度集成化。

根据一个优选实施方式，所述LED芯片是集成半导体器件，所述功能控制器件是裸片器件，并且所述功能控制器件以粘合连接的方式固定在所述第二硅基板上。

根据一个优选实施方式，所述第一硅基板和所述第二硅基板上分别设有以扩散、离子注入或蚀刻的方式形成的电路层，使得所述功能控制元件与所述LED芯片形成电气连接。

根据一个优选实施方式，所述功能控制元件包括控制IC、电阻、电容、整流桥和/或MOSFET，使得所述第二硅基板能够实现对谐波、效率、功率因数和/或频闪的控制。

根据一个优选实施方式，所述第二硅基板是平面硅基板或带凹槽的硅基板，并且所述功能控制元件固定在所述第二硅基板的平面或凹槽内。

根据一个优选实施方式，所述第二硅基板上设有硅树脂层，所述硅树脂层覆盖在所有所述功能控制元件上。

根据一个优选实施方式，所述功能控制元件包括晶体管、二极管、电阻和电容，使得所述第二硅基板能够实现对谐波、效率、功率因数和/或频闪的控制。

根据一个优选实施方式，所述第二硅基板是硅晶片或由砷化镓制成的基板。

根据一个优选实施方式，在所述第一硅基板和所述第二硅基板上对应设置有通孔，并且所述通孔注满有金属导电物质，使得LED芯片和所述功能控制元件形成电气连接。

根据一个优选实施方式，所述第一硅基板和所述第二硅基板通过有机粘合剂连接固定。

本实用新型将驱动与LED集成到一起，无需外置电路，直接交流电点亮LED，可形成高集成度的封装器件，缩小整个系统的体积，并且可同时具有多种功能，可广泛的应用于各种灯具中。本实用新型通过上下设置的两块硅基板对LED进行封装，将LED芯片与其他电气元件或功能元件分别设置在两块硅基板上，有利于散热。而且，硅基板本身就具有较高的热导率，相比于其他铝基板或铜基板能更快地将热量传递出去。除此之外，硅基板成本低、化学惰性和不透水性好、理想的机械性能、良好的一致性和可控性。

附图说明

图1是本实用新型的系统级LED封装器件的剖视图；

图2是本实用新型的系统级LED封装器件的局部剖视图；

图3是本实用新型的系统级LED封装器件的局部剖视图；

图4是本实用新型的系统级LED封装器件的剖视图；和

图5是本实用新型的系统级LED封装器件的局部剖视图。

附图标记列表

100：系统级LED封装器件    101：LED芯片    102：第一硅基板

103：第二硅基板    104：功能控制元件    105：硅树脂层

106：通孔

具体实施方式

下面结合附图具体说明本实用新型。