[实用新型]新型反激变换器输出过压保护电路有效

专利信息
申请号: 201320687667.4 申请日: 2013-11-01
公开(公告)号: CN203536942U 公开(公告)日: 2014-04-09
发明(设计)人: 薛涛;陈华聪;覃周;陈忠富;卢志飞;吕亚潮 申请(专利权)人: 广州市爱浦电子科技有限公司
主分类号: H02H7/12 分类号: H02H7/12;H02M1/32
代理公司: 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 代理人: 汤喜友
地址: 510000 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 新型 激变 输出 保护 电路
【权利要求书】:

1.新型反激变换器输出过压保护电路,包括:PWM控制模块、MOS管、变压器及限流电阻,电压输入端Vin+依次通过变压器原边线圈、MOS管漏极和源极、限流电阻接设备地,PWM控制模块连接MOS管的栅极用于控制MOS管导通或截止,变压器副边线圈依次经过整流二极管及输出滤波模块向电压输出端Vo供电,其特征在于,还包括:光耦芯片U1、NPN型三极管Q4和基准源芯片IC1,整流二极管阴极经过一稳压管ZD1连接光耦芯片U1内光电二极管阳极,所述光电二极管阴极连接基准源芯片IC1的阴极连接端,基准源芯片IC1的阳极连接电源地,电压输出端Vo依次经一电阻R13、一电阻R14接电源地,基准源芯片IC1的基准压设置端连接在电阻R13和电阻R14的连接点上,输出滤波模块的输出端依次经过一稳压管ZD2、一电阻R12连接至NPN型三极管Q4的基极,NPN型三极管Q4的集电极连接所述光电二极管阴极,NPN型三极管Q4的发射极接电源地,光耦芯片U1内光敏三极管的集电极连接PWM控制模块的电压比较端,光耦芯片U1内光敏三极管的发射极接设备地。

2.如权利要求1所述的新型反激变换器输出过压保护电路,其特征在于,所述基准源芯片IC1采用TL431芯片。

3.如权利要求1所述的新型反激变换器输出过压保护电路,其特征在于,还包括一与变压器原边线圈耦合的辅助线圈,辅助线圈向PWM控制模块供电。

4.如权利要求1所述的新型反激变换器输出过压保护电路,其特征在于,基准源芯片IC1的阴极连接端与基准压设置端连接一电容C12。

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