[实用新型]一种深紫外二极管外延片和芯片有效
| 申请号： | 201320641361.5 | 申请日： | 2013-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN203659914U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 方妍妍;吴志浩;戴江南;陈长清 | 申请（专利权）人： | 武汉光电工业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 430075 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 深紫 二极管 外延 芯片 | ||
1.一种深紫外二极管外延片，其特征在于，包括：衬底，设置在所述衬底上的低温AlN成核层，设置在所述低温AlN成核层上的高温AlN本征层，设置在所述高温AlN本征层上的n型AlxGa1-xN层，设置在所述n型AlxGa1-xN层上的AlyGa1-yN/AlzGa1-zN多量子阱层、设置在所述AlyGa1-yN/AlzGa1-zN多量子阱层上的p型AluGa1-uN电子阻挡层、设置在所述p型AluGa1-uN电子阻挡层上的p型GaN层。
2.如权利要求1所述的深紫外二极管外延片，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、碳化硅或AlN。
3.如权利要求1所述的深紫外二极管外延片，其特征在于，所述高温AlN本征层的厚度为0.3-100微米。
4.如权利要求1所述的深紫外二极管外延片，其特征在于，所述n型AlxGa1-xN层的厚度为0.1-10微米。
5.如权利要求1所述的深紫外二极管外延片，其特征在于，所述AlyGa1-yN/AlzGa1-zN多量子阱层的厚度为1-500纳米。
6.如权利要求5所述的深紫外二极管外延片，其特征在于，所述AlyGa1-yN/AlzGa1-zN多量子阱层的势垒层厚度为10nm，势阱层厚度为3nm，量子阱的周期为10个。
7.如权利要求1所述的深紫外二极管外延片，其特征在于，所述p型AluGa1-uN电子阻挡层的厚度为1-200纳米。
8.如权利要求1所述的深紫外二极管外延片，其特征在于，所述p型GaN层的厚度为50-200纳米。
9.一种使用权利要求1-8中任一项所述的外延片制备出的深紫外二极管芯片，所述外延片的n型AlxGa1-xN层上方设有n电极，所述外延片的p型GaN层上方设有p电极。
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