[实用新型]一种P型双面太阳电池有效
| 申请号： | 201320619822.9 | 申请日： | 2013-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN203589044U | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 贾河顺;姜言森;方亮;任现坤;徐振华;张春艳;马继磊 | 申请（专利权）人： | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 宋玉霞 |
| 地址： | 250103 山东省济南*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双面 太阳电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种P型双面太阳电池，其特征在于，由受光面到背光面结构依次为：正面电极、正面减反射层、正面发射极层、P型硅基底、背面发射极层或合金共熔层、背面减反射层、背面电极b或背面电极a，其中，背面发射极层与合金共熔层有间隔。
2.根据权利要求1所述的一种P型双面太阳电池，其特征在于，背面电极b穿透背面减反射层与背面发射极层连接，背面电极a穿透背面减反射层与基底之间形成合金共熔层。
3.根据权利要求1所述的一种P型双面太阳电池，其特征在于，正面电极穿透正面减反射层与正面发射极层连接。
4.根据权利要求1所述的一种P型双面太阳电池，其特征在于，正面发射极层的厚度为50-1000nm。
5.根据权利要求1所述的一种P型双面太阳电池，其特征在于，正面减反射层的厚度为40-150nm，由一层以上薄膜组成。
6.根据权利要求1所述的一种P型双面太阳电池，其特征在于，背面发射极层或合金共熔层的厚度为50-1000nm。
7.根据权利要求1所述的一种P型双面太阳电池，其特征在于，背面减反射层的厚度为40-150nm，由一层以上薄膜组成。
8.根据权利要求1所述的一种P型双面太阳电池，其特征在于，背面发射极层和合金共熔层之间的间隔距离为0.01-10000μm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
