[实用新型]一种薄膜BAW谐振器和BAW滤波器有效
| 申请号： | 201320581111.7 | 申请日： | 2013-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN203457118U | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 李丽;韩东;邓建国;李宏军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/64 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 baw 谐振器 滤波器 | ||
1.一种薄膜BAW谐振器，包括低阻硅的衬底（1）、设于衬底（1）上、且与衬底（1）之间设有空气隙（7）的支撑层（2），在支撑层（2）上设有由下电极（3）、压电层（4）和上电极（5）组成的三明治结构，其特征在于在支撑层（2）和压电层（4）或仅在支撑区（2）上设有金属化通孔（21），在低阻硅衬底（1）的底面设有电极引出层（22），所述上电极（5）或下电极（3）通过金属化通孔（21）与电极引出层（22）电连通。
2.根据权利要求1所述的一种薄膜BAW谐振器，其特征在于所述金属化通孔（21）设于支撑层（2）上，下电极（3）通过金属化通孔（21）与电极引出层（22）电连通。
3.根据权利要求2所述的一种薄膜BAW谐振器，其特征在于所述金属化通孔（22）为两个，其沿空气隙（7）对称分布。
4.根据权利要求1所述的一种薄膜BAW谐振器，其特征在于所述金属化通孔（21）位于支撑层（2）和压电层（4）上，所述上电极（5）通过金属化通孔（21）与电极引出层（22）电连通，所述压电层（4）和支撑层（2）上的金属化通孔（21）上下贯通，且其位于上电极（5）与下电极（3）在竖直面上不相重叠的区域。
5.根据权利要求1所述的一种薄膜BAW谐振器，其特征在于所述下电极（3）和上电极（5）材料为Mo、Au、Ru、Al、Pt、W，所述压电层（4）材料可为AlN或ZnO。
6.根据权利要求1所述的一种薄膜BAW谐振器，其特征在于所述下电极（3）和上电极（5）厚度为1000 ? -5000 ?，压电层（4）厚度为5000 ? -15000 ?。
7.一种含有如权利要求1所述的薄膜BAW谐振器的BAW滤波器，其特征在于该BAW滤波器具有通过BAW谐振器接地的接地端，且BAW谐振器的电极引出层（22）与大地相连接。
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