[实用新型]放大器有效

专利信息
申请号: 201320555227.3 申请日: 2013-09-06
公开(公告)号: CN203457107U 公开(公告)日: 2014-02-26
发明(设计)人: 谢明宏 申请(专利权)人: 美国博通公司
主分类号: H03F1/26 分类号: H03F1/26
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 田喜庆
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 放大器
【权利要求书】:

1.一种放大器,包括:

第一电流增益晶体管,具有与所述放大器的输入端耦接的栅极;

第二电流增益晶体管,具有经由第一增益通路与所述放大器的所述输入端耦接的栅极;

第一共源共栅晶体管,具有与所述第一电流增益晶体管的漏极和所述第二电流增益晶体管的漏极耦接的源极、与第一DC偏置电压耦接的栅极以及与所述放大器的增益输出端耦接的漏极;

第三电流增益晶体管,具有经由第二增益通路与所述放大器的所述输入端耦接的栅极;以及

第二共源共栅晶体管,具有与所述第三电流增益晶体管的漏极耦接的源极、与第二DC偏置电压耦接的栅极以及与所述放大器的所述增益输出端耦接的漏极。

2.根据权利要求1所述的放大器,其中,所述第一增益通路包括耦接在所述放大器的所述输入端与所述第二电流增益晶体管的栅极之间的第一电容器,并且所述第二增益通路包括耦接在所述放大器的所述输入端与所述第三电流增益晶体管的栅极之间的第二电容器。

3.根据权利要求2所述的放大器,进一步包括:

第一电阻器,耦接在所述第二电流增益晶体管的栅极与第三DC偏置电压之间;以及

第二电阻器,耦接在所述第三电流增益晶体管的栅极与第四DC偏置电压之间。

4.根据权利要求1所述的放大器,进一步包括源极跟随器晶体管,所述源极跟随器晶体管具有与所述放大器的所述增益输出端耦接的栅极以及与所述放大器的驱动器输出端耦接的源极。

5.根据权利要求4所述的放大器,进一步包括:

反馈电阻器,耦接在所述放大器的所述驱动器输出端与所述放大器的所述输入端之间;以及

输入电阻器,耦接至所述放大器的所述输入端。

6.一种放大器,包括:

第一电流增益晶体管,具有与所述放大器的输入端耦接的栅极;

第二电流增益晶体管,具有经由增益通路与所述放大器的所述输入端耦接的栅极;以及

共源共栅晶体管,具有与所述第一电流增益晶体管的漏极和所述第二电流增益晶体管的漏极耦接的源极、与第一DC偏置电压耦接的栅极以及与所述放大器的增益输出端耦接的漏极。

7.根据权利要求6所述的放大器,进一步包括源极跟随器晶体管,所述源极跟随器晶体管具有与所述放大器的所述增益输出端耦接的栅极以及与所述放大器的驱动器输出端耦接的源极。

8.根据权利要求7所述的放大器,进一步包括:

反馈电阻器,耦接在所述放大器的所述驱动器输出端与所述放大器的所述输入端之间;以及

输入电阻器,耦接至所述放大器的所述输入端。

9.一种放大器,包括:

第一电流增益晶体管,具有与所述放大器的输入端耦接的栅极;

第二电流增益晶体管,具有经由增益通路与所述放大器的所述输入端耦接的栅极;

第一共源共栅晶体管,具有与所述第一电流增益晶体管的漏极耦接的源极、与第一DC偏置电压耦接的栅极以及与所述放大器的增益输出端耦接的漏极;以及

第二共源共栅晶体管,具有与所述第二电流增益晶体管的漏极耦接的源极、与第二DC偏置电压耦接的栅极以及与所述放大器的所述增益输出端耦接的漏极。

10.根据权利要求9所述的放大器,其中,所述增益通路包括耦接在所述放大器的所述输入端与所述第二电流增益晶体管的栅极之间的电容器。

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