[实用新型]用于处理基板的腔室有效
| 申请号: | 201320533432.X | 申请日: | 2012-02-29 |
| 公开(公告)号: | CN203746815U | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
| 发明(设计)人: | 杰瑞德·阿哈默德·里;马丁·杰夫·萨里纳斯;保罗·B·路透;伊玛德·尤瑟夫;阿尼鲁达·帕尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 处理 | ||
1.一种用于处理基板的腔室,所述腔室包括:
腔室主体,所述腔室主体于所述腔室主体内限定腔室容积,所述腔室主体具有可密封基板转移开口;
基板支撑托架组件,所述基板支撑托架组件设置于所述腔室容积内;以及
箍组件,所述箍组件在所述腔室容积内部可移动,其中,所述箍组件包括限制环,所述限制环于所述限制环内限定限制区,所述箍组件的所述限制环在升高位置与降低位置之间可移动,并且当所述箍组件在所述降低位置时,所述限制区在所述基板支撑托架组件上方。
2.根据权利要求1所述的腔室,其中,所述箍组件还包括:
三或更多个升降指,所述三或更多个升降指在所述限制环下方延伸,其中,所述三或更多个升降指的每一者具有从所述限制环径向向内定位的接触端,以在所述限制区下方形成基板支撑表面且将所述基板支撑表面与所述限制区间隔开,所述限制区由所述限制环限定。
3.根据权利要求1所述的腔室,其中,所述限制环的所述升高位置在所述可密封基板转移开口上方,且所述限制环的所述降低位置在所述可密封基板转移开口前面。
4.根据权利要求1所述的腔室,还包括:
喷头,所述喷头设置在所述基板支撑托架组件上方,其中,所述限制环的高度从所述喷头的下表面跨越至所述基板支撑托架组件的上表面。
5.根据权利要求1所述的腔室,还包括:
盖件,所述盖件具有孔穴,当所述限制环处于所述升高位置时,所述孔穴接收所述限制环。
6.根据权利要求1所述的腔室,其中,所述限制环为具有垂直延伸侧壁的套环,且在所述垂直延伸侧壁的内表面与外表面之间形成一或更多个通孔。
7.根据权利要求1所述的腔室,其中,所述限制环具有在处理期间足以同时与所述基板支撑托架组件及喷头两者重迭的高度。
8.根据权利要求1所述的腔室,其中,所述限制环由石英形成。
9.根据权利要求1所述的腔室,其中,所述箍组件还包括:
箍主体,所述箍主体具有支撑所述限制环的唇部。
10.根据权利要求2所述的腔室,其中,所述箍组件还包括箍主体,所述箍主体具有支撑所述限制环的唇部,所述三或更多个升降指中的每一者附接于所述箍主体的下表面。
11.根据权利要求2所述的腔室,其中,所述箍组件还包括箍主体,所述箍主体具有支撑所述限制环的唇部,并且每一升降指包括:
垂直部分,所述垂直部分附接于所述箍主体的所述下表面;以及
水平部分,所述水平部分连接至所述垂直部分且所述水平部分径向向内延伸,其中,所述接触端定位于所述水平部分上。
12.根据权利要求9所述的腔室,其中,所述箍主体包括:
框架部分,所述框架部分限定中央开口;以及
手柄部分,所述手柄部分在所述中央开口外的一侧处连接至所述框架部分。
13.根据权利要求12所述的腔室,还包括:
轴,所述轴附接于所述箍主体的所述手柄部分。
14.根据权利要求9所述的腔室,其中,所述限制环具有脊,所述脊与在所述箍主体内形成的凹槽紧密配合。
15.根据权利要求9所述的腔室,其中,所述限制环由石英形成,且所述箍主体由铝形成。
16.根据权利要求1所述的腔室,其中,所述限制环为具有垂直延伸侧壁的套环,且在所述垂直延伸侧壁的内表面与外表面之间形成一或更多个通孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





