[实用新型]一种高频MOSFET的负压驱动电路

权利要求书

1.一种高频MOSFET的负压驱动电路，其特征在于，包括充电电路、放电电路、变压器T、MOSFET管Q和缓冲电容C2，所述变压器T的原边同名端接电源正极V+，原边非同名端接MOSFET管Q的漏极D；所述MOSFET 管Q的源极S接地；所述缓冲电容C2的正极接Q的漏极D，C2的负极接Q的源极S。

2.如权力要求1所述高频MOSFET的负压驱动电路，其特征在于，所述的充电电路由隔直电容C1、限流电阻R1和R2组成，所述的隔直电容C1的正极与MOSFET的栅极G相连；所述限流电阻R1接在隔直电容C1的负极与PWM信号输入点两端；所述的限流电阻R2接在C1的正极和MOSFET的栅极G两端。

3.如权力要求1所述高频MOSFET的负压驱动电路，其特征在于，所述的放电电路包括稳压二极管D和放电电阻R3，所述的稳压二极管D的负极与隔直电容C1的正极相连；所述放电电阻R3接在稳压二极管D的正极与MOSFET的源极S两端。