[实用新型]电压箝位电路有效

专利信息
申请号: 201320304903.X 申请日: 2013-05-30
公开(公告)号: CN203445768U 公开(公告)日: 2014-02-19
发明(设计)人: N·加涅;S·马卡卢索;J·考皮宁 申请(专利权)人: 快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司
主分类号: H02M1/00 分类号: H02M1/00
代理公司: 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 代理人: 武晨燕;张颖玲
地址: 215021 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 电压 箝位 电路
【权利要求书】:

1.一种电压箝位电路,包括: 

输入端子,其被配置成接收一输入电压; 

输出端子,其被配置成输出一输出电压; 

第一可控开关,其连接在所述输入端子和所述输出端子之间,所述第一可控开关被配置成针对所述输入端子处的第一输入电压范围对所述输出端子处的所述输出电压进行控制; 

第二可控开关,其连接在所述输入端子和所述输出端子之间,所述第二可控开关被配置成针对所述输入端子处的第二输入电压范围对所述输出端子处的所述输出电压进行控制, 

其中,所述第二输入电压范围大于所述第一输入电压范围, 

其中,所述输入电压在所述第一输入电压范围的至少一部分内时,所述输出电压等于所述输入电压,并且 

其中,所述输入电压在所述第二输入电压范围的至少一部分内时,所述输出电压小于所述输入电压。 

2.根据权利要求1所述的电压箝位电路,其中,所述第一可控开关具有控制端子,所述电路进一步包括: 

至少一个电阻器;以及 

第一齐纳二极管,其与所述至少一个电阻器串联连接,所述第一齐纳二极管具有一反向击穿电压, 

其中,当所述第一齐纳二极管两端的电压超过所述反向击穿电压时,所述第一齐纳二极管被配置成传导通过所述至少一个电阻器的电流并且在所述第一可控开关的所述控制端子处施加一电压。 

3.根据权利要求1所述的电压箝位电路,进一步包括: 

第三可控开关,其连接在所述输入端子和所述第一可控开关之间,所述第三可控开关被配置成对所述第一可控开关进行控制。 

4.根据权利要求3所述的电压箝位电路,其中,所述第三可控开关是p型晶体管,其中,所述第三可控开关包括源极端子、漏极端子和栅极端子,所述箝位电路进一步包括: 

第二齐纳二极管,其连接在所述第三可控开关的所述栅极端子和所述漏极端子之间,所述第二齐纳二极管具有一反向击穿电压, 

其中,所述第二齐纳二极管被配置成当所述栅极端子上的电压比所述漏极端子上的电压高出所述反向击穿电压时传导电流。 

5.根据权利要求1所述的电压箝位电路,进一步包括: 

接地电压端子;以及 

第三齐纳二极管,其连接在所述输出端子和所述接地电压端子之间,所述第三齐纳二极管具有一反向击穿电压, 

其中,当所述第三齐纳二极管两端的电压超过所述反向击穿电压时,所述第三齐纳二极管被配置成传导电流并且将所述输出电压保持在小于所述输入电压的基本上恒定的电压处。 

6.根据权利要求1至5中任一项所述的电压箝位电路,其中,所述第一可控开关是p型晶体管,并且所述第二可控开关是n型晶体管。 

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