[实用新型]一种基于硅上液晶技术的波长阻断器及波长阻断系统有效

专利信息
申请号: 201320200294.3 申请日: 2013-04-19
公开(公告)号: CN203241657U 公开(公告)日: 2013-10-16
发明(设计)人: 方水塔;黄慧红 申请(专利权)人: 方水塔;黄慧红
主分类号: G02F1/13 分类号: G02F1/13;G02B6/293
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 510130 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 液晶 技术 波长 阻断 系统
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种光通信设备,更具体地说,特别涉及一种基于硅上液晶技术的波长阻断器及波长阻断系统。 

背景技术

光通信网络的高速发展,对光通信设备模块的性能,可靠性要求越来越高,设备成本和运行成本要求越来越低,要求有可变通道频率和频带宽度。但是现有的设备一方面不具有可变通道频率和频带宽度,另一方面存在因光路上元器件多而导致设备价格昂贵。因此,需要设计一种新型的波长阻断器及系统。 

实用新型内容

本实用新型的第一目的在于针对现有技术中一方面不具有可变通道频率和频带宽度,另一方面存在因光路上元器件多的技术问题,提供一种基于硅上液晶技术的波长阻断器。 

本实用新型的第二目的在于提供一种根据上述的基于硅上液晶技术的波长阻断器组成的波长阻断系统。

为了达到上述第一目的,本实用新型采用的技术方案如下:

一种基于硅上液晶技术的波长阻断器,包括依次设置的环形器、线偏振光发生器和光栅,以及,依次设置的聚焦透镜组、硅上液晶芯片和控制电路,所述聚焦透镜组位于光栅的一端。

优选的,所述的聚焦透镜组是单方向聚焦的柱透镜组。

优选的,所述线偏振光发生器包括依次设置的准值器、双折射晶体和半波片,且所述准值器位于环形器的一端。

优选的,所述硅上液晶芯片包括依次设置于的平面液晶、反射薄膜层以及互补金属氧化物半导体,且所述平面液晶位于聚焦透镜组的一端。

优选的,所述反射薄膜层与聚焦透镜组的焦平面重合。

为了达到上述第二目的,本实用新型采用的技术方案如下:

一种波长阻断系统,其包括基于硅上液晶技术的波长阻断器,其特征在于:所述的基于硅上液晶技术的波长阻断器至少为二个,且所述至少二个波长阻断器依次通过耦合器连接。

与现有技术相比,本实用新型的优点在于:一方面光路上使用的元件少,由于硅上液晶芯片的结构相对简单,价格平宜,可以用同一片液晶芯片和一个光路系统,做出互相独立的多个波长阻断器,且生产成本低只有其它同类器件的1/3~1/5;另一方面通过控制其中的控制电路即可实现通道频率和频带宽度的改变;同时波长阻断器组成的系统可以实现动态重构多路波长的波长选择开关功能。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。 

图1是本实用新型的基于硅上液晶技术的波长阻断器的结构图。

附图标记说明:

1、平面液晶,2、反射薄膜层,3、互补金属氧化物半导体,4、控制电路,5、光栅,6、聚焦透镜组,7、环形器,8、准值器,9、双折射晶体,10、半波片。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步的详细说明。 

参阅图1所示,本实用新型提供的一种基于硅上液晶技术的波长阻断器,包括依次设置的环形器7、线偏振光发生器和光栅5,以及,依次设置的聚焦透镜组6、硅上液晶芯片和控制电路4(即COMS控制电路),其中,聚焦透镜组6位于光栅5的一端,

较佳的,聚焦透镜组6是单方向聚焦的柱透镜组,线偏振光发生器包括依次设置的准值器8、双折射晶体9和半波片10,且准值器8位于环形器7的一端。硅上液晶芯片包括依次设置的平面液晶1、反射薄膜层2以及互补金属氧化物半导体(即COMS)3,且平面液晶1位于聚焦透镜组6的一端。这样,光波的通道是由互补金属氧化物半导体3的控制形成的,而平面液晶1内部不需要有光波的通道间隔,因此造价低,而且通道的频率和带宽任意可调。而本实用新型的原理是如下所示:

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