[实用新型]周期性带枝节双环双开口结构的太赫兹波滤波器有效
| 申请号: | 201320022733.6 | 申请日: | 2013-01-14 |
| 公开(公告)号: | CN203180017U | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
| 发明(设计)人: | 李九生 | 申请(专利权)人: | 中国计量学院 |
| 主分类号: | H01P1/20 | 分类号: | H01P1/20 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 310018 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 周期性 枝节 双开 结构 赫兹 滤波器 | ||
技术领域
本实用新型涉及滤波器,尤其涉及一种周期性带枝节双环双开口结构的太赫兹波滤波器。
背景技术
所谓太赫兹波,是指频率从0.1THz到10THz的电磁辐射(1THz=1012Hz)。该波段介于微波与远红外辐射之间,这两个相邻的波段已经是非常太赫兹波在电磁波谱中介于微波和红外辐射之间,在宇宙中该波段的信息量占总信息量的约50%。可是直至20世纪80年代,对太赫兹波各方面特性的研究和了解还非常有限,因而被称为远红外线和毫米波之间所谓的“太赫兹空隙”。
太赫兹系统主要由辐射源、探测器件和各种功能器件组成。在实际应用中,由于应用环境噪声以及应用需要的限制等,需滤除不需要的频率范围和噪声,提高系统的性能,因而太赫兹波滤波器在实际中有重要的应用。
当前国内外研究的并提出过的太赫兹波滤波器结构主要基于光子晶体、表面等离子体等结构,这些结构往往很复杂,而且在实际制作过程中困难重重,成本较高,对加工工艺和加工环境要求也高。所以迫切需要提出结构简单、尺寸小、便于加工制作的太赫兹波滤波器来支撑太赫兹波应用领域的发展。
发明内容
本实用新型的目的是克服现有技术的不足,提供一种周期性带枝节双环双开口结构的太赫兹波滤波器。
周期性带枝节双环双开口结构的太赫兹波滤波器,其特征在于包括信号输入端、金属带枝节双环双开口结构传输层、基体、信号输出端;带枝节双环双开口结构传输层与基体相连,带枝节双环双开口结构传输层包括N×N个带枝节双环双开口结构周期单元;带枝节双环双开口金属周期单元包括一个开口环结构和带枝节开口环结构;信号从信号输入端输入,依次经过带枝节双环双开口结构传输层、基体之 后到达信号输出端,实现对信号进行滤波。
所述的带枝节双环双开口结构传输层的厚度为1~2μm。所述的基体的厚度为300~400μm。所述的两个相邻的带枝节双环双开口结构周期单元间距为10~15μm。所述的一种周期性带枝节双环双开口结构的太赫兹波滤波器,其特征在于所述的开口环结构外半径为65~70μm,宽度为4~5μm,开口宽度为4~5μm。所述的带枝节开口环结构外半径为30~35μm,金属宽度为4~5μm,开口宽度为4~5μm。所述的基体的材料为高阻硅材料,带枝节双环双开口结构传输层的材料为铜。
本实用新型具有选择性高、带宽大、结构简单、尺寸小、体积小、重量轻、节约材料、便于制作及易于集成等优点。
附图说明
图1是周期性带枝节双环双开口结构的太赫兹波滤波器的结构示意图;
图2是本实用新型的带枝节双环双开口结构传输层的结构示意图;
图3是本实用新型的带枝节双环双开口结构周期单元的结构示意图;
图4是周期性带枝节双环双开口结构的太赫兹波滤波器性能曲线。
具体实施方式
如图1~3所示,周期性带枝节双环双开口结构的太赫兹波滤波器,包括信号输入端1、金属带枝节双环双开口结构传输层2、基体3、信号输出端4;带枝节双环双开口结构传输层2与基体3相连,带枝节双环双开口结构传输层2包括N×N个带枝节双环双开口结构周期单元5;带枝节双环双开口金属周期单元5包括一个开口环结构6和带枝节开口环结构7;信号从信号输入端1输入,依次经过带枝节双环双开口结构传输层2、基体3之后到达信号输出端4,实现对信号进行滤波。
所述的带枝节双环双开口结构传输层2的厚度为1~2μm。所述的基体3的厚度为300~400μm。所述的两个相邻的带枝节双环双开口结构周期单元5间距为10~15μm。所述的开口环结构6外半径为 65~70μm,宽度为4~5μm,开口宽度为4~5μm。所述的带枝节开口环结构7外半径为30~35μm,金属宽度为4~5μm,开口宽度为4~5μm。所述的基体3的材料为高阻硅材料,带枝节双环双开口结构传输层2的材料为铜。
实施例1:
设定各参数值如下:结构个数N=100个,带枝节双环双开口结构传输层为1μm。基体的厚度为400μm。两个相邻的带枝节双环双开口结构周期单元间距为10μm。金属环形外半径为70μm,宽度为5μm,开口宽度为5μm。带枝节开口环结构外半径为35μm,金属宽度为5μm,开口宽度为5μm。所述的基体的材料为高阻硅材料,带枝节双环双开口结构传输层的材料为铜。用THz-TDS测得该滤波器中心频率点为1.05THz,该点的回波损耗S11为-24.9dB,插入损耗S21为-0.5dB,带宽为150GHz。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国计量学院,未经中国计量学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320022733.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





