[发明专利]包括压缩应力的封装垂直功率器件及其制造方法

权利要求书

1.一种组装的器件，包括：

载体；

设置在该载体上的连接层，该连接层包括第一高度；以及

设置在该连接层上的芯片，该芯片包括第二高度，

其中所述芯片包括沿着整个第二高度的压缩应力，

其中该第二高度小于该第一高度，并且

其中该第二高度等于或小于40μm。

2.根据权利要求1所述的组装的器件，其中该第一高度等于或大于40μm。

3.根据权利要求2所述的组装的器件，其中该连接层包括传导粘结膏。

4.根据权利要求2所述的组装的器件，其中该连接层包括传导粘结箔。

5.根据权利要求2所述的组装的器件，其中该连接层包括软焊料。

6.根据权利要求1所述的组装的器件，其中该第二高度等于或小于5μm并且其中该第一高度等于或大于5μm。

7.根据权利要求6所述的组装的器件，其中该连接层包括扩散焊料层。

8.根据权利要求1所述的组装的器件，其中该连接层是背面金属化层（BSM）。

9.根据权利要求1所述的组装的器件，该芯片是垂直功率半导体器件。

10.根据权利要求1所述的组装的器件，其中该芯片包括碳化硅（SiC）。

11.一种封装的功率器件，包括：

引线框架；

设置在载体上的连接层；

设置在该连接层上的垂直功率半导体芯片，其中该垂直功率半导体芯片包括在垂直功率半导体芯片的整个高度上的垂直压缩应力；

互连，将芯片接触焊盘连接至该引线框架的引线；以及

密封该垂直功率半导体芯片的密封体；

其中该垂直功率半导体芯片的高度等于或小于40μm。

12.根据权利要求11所述的封装的功率器件，其中该垂直压缩应力等于或大于100MPa。

13.根据权利要求11所述的封装的功率器件，其中该连接层包括软焊料层、传导粘结箔或传导粘结膏，并且其中该连接层包括等于或大于40μm的高度。

14.根据权利要求11所述的封装的功率器件，其中该垂直功率半导体芯片等于或小于10μm。

15.根据权利要求14所述的封装的功率器件，其中该连接层包括扩散焊料层，并且其中该扩散焊料层包括等于或小于10μm的高度。

16.根据权利要求11所述的封装的功率器件，其中该引线框架的CTE大于15ppm/K并且其中该功率半导体芯片的衬底的CTE在2ppm/K与7ppm/K之间。

17.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：

将具有底部主要表面的垂直半导体器件放置在引线框架上；以及

经由连接层将该半导体器件连接至该引线框架，其中在该半导体器件的整个高度上形成垂直压缩应力，该连接层比该半导体器件厚，并且所述整个高度等于或小于40μm。

18.根据权利要求17所述的方法，进一步包括在将该半导体器件放置在该引线框架上之前薄化该半导体器件。

19.根据权利要求17所述的方法，其中该垂直半导体器件是垂直功率半导体器件。