[发明专利]天线二极管电路及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路，其包括：

衬底；

在所述衬底中形成的晶体管，其中所述晶体管包括设置在所述衬底上并且在晶体管扩散区之间的晶体管栅极结构；

在所述衬底中形成的第一扩散区和第二扩散区，其中所述晶体管以及所述第一扩散区和所述第二扩散区具有所述衬底中的共同的阱；以及

设置在所述衬底中的区域上的伪栅极结构，其中所述伪栅极结构设置于其上的区域分隔所述第一扩散区和所述第二扩散区，并且其中所述第一扩散区耦合到所述晶体管栅极结构。

2.如权利要求1所述的集成电路，其中紧邻所述衬底中所述伪栅极结构设置于其上的所述区域形成所述第一扩散区和所述第二扩散区。

3.如权利要求1所述的集成电路，其中所述第二扩散区耦合到所述晶体管栅极结构，并且其中所述第一扩散区和所述第二扩散区用作所述晶体管的天线二极管电路。

4.如权利要求1所述的集成电路，其进一步包括：

在所述晶体管与所述第一扩散区和所述第二扩散区之间的衬底中形成的浅沟槽隔离结构。

5.如权利要求4所述的集成电路，其进一步包括：

在所述浅沟槽隔离结构上形成的附加伪栅极结构。

6.如权利要求1所述的集成电路，其进一步包括：

在所述晶体管栅极结构与所述伪栅极结构之间的衬底上形成的至少一个附加伪栅极结构。

7.如权利要求1所述的集成电路，其中所述伪栅极结构包括浮动多晶硅栅极结构。

8.如权利要求1所述的集成电路，其中所述第一扩散区和所述第二扩散区包括具有第一掺杂类型的衬底材料，并且其中分隔所述第一扩散区和所述第二扩散区的所述区域包括具有不同于所述第一掺杂类型的第二掺杂类型的衬底材料。

9.一种集成电路，其包括：

衬底；

在所述衬底中形成的晶体管，其中所述晶体管包括源-漏区和栅极；

在所述衬底中形成的天线二极管电路；

在所述衬底上的所述天线二极管电路上方延伸的伪栅极结构；

包括另一个栅极的另一个晶体管，其中所述天线二极管电路包括在所述衬底中形成的多个扩散区，并且其中所述天线二极管电路中的所述多个扩散区中的至少一个扩散区耦合到每一个所述晶体管的所述栅极，并且大于所述晶体管的所述源-漏区；

在所述晶体管与所述天线二极管电路之间的衬底中形成的浅沟槽隔离结构；以及

在所述浅沟槽隔离结构上形成的至少一个附加伪栅极结构。

10.如权利要求9所述的集成电路，其中所述多个扩散区包括在所述衬底中形成的一对扩散区，并且其中所述天线二极管电路中的该对扩散区中的每个扩散区耦合到每一个所述晶体管的所述栅极。

11.如权利要求9所述的集成电路，其中所述天线二极管电路中的所述多个扩散区中的至少一个扩散区耦合到所述栅极，其中所述多个扩散区具有第一掺杂类型，并且其中所述多个扩散区由所述衬底中被所述伪栅极结构覆盖并具有不同于所述第一掺杂类型的第二掺杂类型的区域分隔。

12.一种制造集成电路的方法，其包括：

在衬底上形成伪栅极结构；

在形成所述伪栅极结构之后，将掺杂剂注入到所述衬底中以在所述衬底中紧邻所述伪栅极结构形成一对扩散区；

在所述衬底中形成晶体管，其中所述晶体管包括晶体管栅极结构，并且其中所述晶体管和该对扩散区被形成在所述衬底中的共同的阱中；以及

形成将所述晶体管栅极结构耦合到该对扩散区中的至少一个扩散区的导电路径，其中所述至少一个扩散区用作所述晶体管栅极结构的天线二极管电路。

13.如权利要求12所述的方法，其进一步包括：

在形成耦合所述晶体管栅极结构和一个扩散区的所述导电路径之后，形成另一个导电路径，所述另一个导电路径可操作以在该对扩散区的另一扩散区上转移信号或功率中的选定一个。

14.如权利要求13所述的方法，其进一步包括：

平坦化所述伪栅极结构和所述晶体管栅极结构，使得所述伪栅极结构和所述晶体管栅极结构展现出相同的高度，其中在平坦化期间，电荷在所述伪栅极结构和所述晶体管栅极结构上累积。