[发明专利]一种真空蒸发镀膜的方法和一种覆盖蒸发镀膜的稀土磁铁

权利要求书

1.一种稀土磁铁真空蒸发镀膜的方法，所述的稀土磁铁为含有R₂T₁₄B主相的磁铁，所述的R为选自包含钇元素在内的稀土元素中的至少一种，所述T为包括Fe的至少一种过渡金属元素，其特征在于，包括以下步骤：

1)稀土磁铁工件进行前处理之后，装在工件架上；

2)将所述工件架送入反应室，预氧化；

3)将所述工件架送入镀膜室，抽真空，将金属蒸发材料M加热到蒸发温度，对所述稀土磁铁工件进行蒸镀；

4)降温，破真空，取出工件获得。

2.根据权利要求1所述的一种真空蒸发镀膜的方法，其特征在于：步骤2)中，预氧化温度为100～600℃，预氧化时间为0.1～12小时。

3.根据权利要求2所述的一种真空蒸发镀膜的方法，其特征在于：步骤3)中，蒸镀时间为0.05～3小时。

4.根据权利要求2所述的一种真空蒸发镀膜的方法，其特征在于：所述的稀土磁铁为NdFeB系磁铁。

5.根据权利要求1或2或3所述的一种真空蒸发镀膜的方法，其特征在于：步骤2)的相对湿度控制在10％以下。

6.根据权利要求4所述的一种真空蒸发镀膜的方法，其特征在于：步骤2)的所述反应室直接用作步骤3)的所述镀膜室，并在所述步骤2)完成之后，关闭氧气。

7.根据权利要求5所述的一种真空蒸发镀膜的方法，其特征在于：在步骤3)之后，还设置有如下的步骤，继续通入O₂，同时将金属蒸发材料M加热到蒸发温度，对所述工件蒸镀0.05～1小时，在M层的外表面上形成MO层。

8.根据权利要求5所述的一种真空蒸发镀膜的方法，其特征在于：在步骤3)之后，还设置有如下的步骤，对完成蒸镀的工件进行热处理，热处理温度为80～300℃，热处理时间为0.5～12h。

9.根据权利要求6所述的一种真空蒸发镀膜的方法，其特征在于：所述的金属蒸发材料为Mg，所述蒸发温度的最低值为650℃；或所述的金属蒸发材料为Al，所述蒸发温度的最低值为980℃；或所述的金属蒸发材料为Zn，所述蒸发温度的最低值为500℃；或所述的金属蒸发材料为Mg、Al和Zn的其中两种或三种的组合物，所述蒸发温度的最低值为上述不同材料蒸发温度各自的最低值。

10.根据权利要求7所述的一种真空蒸发镀膜的方法，其特征在于：步骤3)中还设置蒸发室，所述蒸发室的温度为蒸发材料的蒸发温度，所述镀膜室的温度控制在200～400℃。

11.一种覆盖蒸发镀膜的稀土磁铁，其特征在于：其包括在稀土磁铁表面形成的MO分布层、和在所述MO分布层之外的M层，所述的M选自Mg、Al或Zn的至少一种。