[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有层间介电层，在所述层间介电层中形成有互连线；

在所述半导体衬底上沉积形成保护层，并在所述保护层中形成底部电极；

在所述半导体衬底上依次形成磁通道结材料层和具有磁通道结图案的光刻胶层；

实施蚀刻，形成磁通道结。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层包括自下而上层叠的底层和顶层，所述底层的构成材料包括氮化硅或者具有低介电常数的材料，所述顶层的构成材料包括氧化物。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，形成所述底部电极的步骤包括：在所述保护层上形成具有用于填充所述底部电极的构成材料的沟槽图案的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，实施干法蚀刻，在所述保护层中形成所述沟槽；采用灰化工艺去除所述光刻胶层；沉积形成底部电极材料层，以完全填充所述沟槽；执行化学机械研磨，研磨所述底部电极材料层直至露出所述保护层。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述化学机械研磨的研磨液对所述底部电极材料层和所述保护层中的顶层具有相同的研磨选择性。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述底部电极材料层的构成材料包括自下而上层叠的氮化钽和氮化钛、或者单层铝。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述磁通道结材料层和所述具有磁通道结图案的光刻胶层之间还形成有自下而上层叠的蚀刻停止层和硬掩膜层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述蚀刻包括：以所述具有磁通道结图案的光刻胶层为掩膜，以依次蚀刻所述硬掩膜层和所述蚀刻停止层的第一干法蚀刻；以经过所述第一干法蚀刻的硬掩膜层和蚀刻停止层为掩膜，以蚀刻所述磁通道结材料层的第二干法蚀刻。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，实施所述第一干法蚀刻之后且实施所述第二干法蚀刻之前，采用灰化工艺去除所述具有磁通道结图案的光刻胶层。