[发明专利]乘法器电路有效
| 申请号： | 201310746675.6 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103684414A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 陈方雄 | 申请（专利权）人： | 上海贝岭股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/082 | 分类号： | H03K19/082;H03K19/094 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 刘锋;黄小栋 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 乘法器 电路 | ||
1.一种乘法器电路，包括吉尔伯特单元电流乘法器，其特征在于，还包括镜像回路和补偿回路，其中，
所述镜像回路连接到所述吉尔伯特单元电流乘法器的两路输出电流支路，以将两路输出电流镜像到所述补偿回路；
所述补偿回路包括与所述吉尔伯特单元电流乘法器中的晶体管的电流增益相同的两个晶体管，所述两个晶体管接收经由所述镜像回路得到的两路镜像电流并输出经过系数补偿后的输出电流作为所述乘法器电路的输出电流。
2.根据权利要求1所述的乘法器电路，其特征在于，所述镜像回路包括分别连接到所述两路输出电流支路的第一MOS管和第二MOS管，以及分别连接到所述两个晶体管的第三MOS管和第四MOS管。
3.根据权利要求2所述的乘法器电路，其特征在于，
所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管以及第四MOS管的源极均连接到辅助电源；
所述第一MOS管和所述第二MOS管的漏极与栅极均短接；
所述第三MOS管的栅极与所述第一MOS管的栅极连接；
所述第四MOS管的栅极与所述第二MOS管的栅极连接。
4.根据权利要求3所述的乘法器电路，其特征在于，所述第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管以及第四MOS管为完全相同的MOS管。
5.根据权利要求1所述的乘法器电路，其特征在于，所述晶体管为NPN型双极性晶体管。
6.根据权利要求1所述的乘法器电路，其特征在于，所述晶体管为PNP型双极性晶体管。
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