[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括衬底、形成于所述衬底上表面的绝缘层、形成于所述绝缘层上的至少一个金属互连层，其特征在于，所述半导体器件还包括形成于所述衬底下表面的至少一个金属层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件具备有源区和非有源区，所述非有源区中形成有至少一个平板电容。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述平板电容包括相对设置的第一极板和第二极板，所述第一极板为在形成所述金属互连层的刻蚀工序中通过调整刻蚀版图而保留在所述非有源区中的一部分金属，所述第二极板为在形成所述衬底下表面的金属层的刻蚀工序中通过调整刻蚀版图而保留在所述非有源区中的一部分金属。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一极板与所述半导体器件的封装引脚中的输入或输出引脚相连，所述第二极板与所述半导体器件的封装框架中的连接到接地端的晶座相接。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一极板与所述半导体器件的封装引脚中的接地引脚相连，所述第二极板与所述半导体器件的封装框架中的连接到输入或输出端的晶座相接。

6.一种半导体器件的制造方法，该方法包括在用于制造所述半导体器件的衬底的上表面上形成绝缘层，并在所述绝缘层上形成至少一个金属互连层，其特征在于，该方法还包括在所述衬底的下表面上形成至少一个金属层。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，该方法还包括在所述半导体器件中配置有源区和非有源区，并在所述非有源区中形成至少一个平板电容。

8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述平板电容包括相对设置的第一极板和第二极板，所述方法包括如下步骤：

S1.在进行位于衬底上表面的所述金属互连层的刻蚀工序时，通过调整刻蚀版图，使得在所述非有源区中保留一部分金属以形成所述第一极板；

S2.在进行位于衬底下表面的所述金属层的刻蚀工序时，通过调整刻蚀版图，使得在所述非有源区中保留一部分金属以形成所述第二极板。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在步骤S2之后还包括，在对所述半导体器件进行封装打线时，在其封装框架上调整晶座的位置，使得所述晶座与所述第二极板相接。

10.根据权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S2还包括：使得所述第二极板与所述金属层位于所述有源区的部分存在电气隔离。