[发明专利]浪涌抑制电路、开关装置和机顶盒

权利要求书

1.一种浪涌抑制电路，接于电源和负载之间，其特征在于，包括：

浪涌抑制模块，一端与所述电源连接，另一端与所述负载连接，所述浪涌抑制模块具有大输入阻抗以抑制峰值电流电压；

稳态通断模块，控制端和输入端与所述电源连接，输出端与所述负载连接，所述稳态通断模块延时特定时间后接通所述电源和负载，所述特定时间对应所述浪涌抑制模块抑制峰值电流电压的时间。

2.根据权利要求1所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述浪涌抑制模块包括第一电容、第一电阻和第一电感，其中，

所述第一电容的一端与所述电源连接，另一端接地，所述第一电感的一端通过所述第一电阻与所述电源连接，另一端与所述负载连接。

3.根据权利要求1所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述稳态通断模块包括具有延时功能的复位控制器和受控开关；

所述复位控制器的电源端作为所述稳态通断模块的控制端与所述电源连接，复位端与所述受控开关的控制端连接；

所述受控开关的输入端作为所述稳态通断模块的输入端，输出端与所述负载连接。

4.根据权利要求3所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述受控开关包括第一三极管、第二电阻、第三电阻和场效应管，其中，

所述第一三极管的基极作为所述受控开关的控制端经所述第二电阻与所述复位控制器的复位端连接，发射极接地，集电极与所述场效应管的栅极连接，所述场效应管的栅极还经过所述第三电阻与所述电源连接，源极与所述电源连接，漏极与所述负载连接并经一耗能电阻接地。

5.根据权利要求4所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述场效应管为N沟道MOS管，所述第一三极管为NPN型三极管。

6.根据权利要求3或4所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述稳态通断模块还包括第四电阻和第一稳压二极管，所述复位控制器的电源端经所述第四电阻与所述电源连接，且与所述第一稳压二极管的阴极连接，所述第二稳压二极管的阳极接地。

7.根据权利要求1所述的浪涌抑制电路，其特征在于，还包括开关，所述浪涌抑制模块的一端、所述稳态通断模块控制端和输入端经所述开关与所述电源连接。

8.根据权利要求7所述的浪涌抑制电路，其特征在于，所述开关为单刀双掷开关，所述单刀双掷开关的一端接所述电源，另一端接地，中间弹片与所述浪涌抑制模块的一端、所述稳态通断模块控制端和输入端连接。

9.一种开关装置，其特征在于，包括权利要求1至8任一项所述的浪涌抑制电路。

10.一种机顶盒，其特征在于，包括权利要求1至8任一项所述的浪涌抑制电路。