[发明专利]一种基于温度补偿的SRAM灵敏放大器无效

专利信息
申请号: 201310723040.4 申请日: 2013-12-25
公开(公告)号: CN103745743A 公开(公告)日: 2014-04-23
发明(设计)人: 翁宇飞;李二亮;张其笑;李有忠;王子欧 申请(专利权)人: 苏州宽温电子科技有限公司
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215000 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 温度 补偿 sram 灵敏 放大器
【权利要求书】:

1.一种基于温度补偿的SRAM灵敏放大器,包括一个电流镜电路,N个Dummy leakage NMOS且N=1,2,3,…,一个放电电路SINK和一个时序控制电路FSM logic电路,其特征在于,所述电流镜电路由晶体管                                               和晶体管,所述晶体管的漏极与所述N个Dummy leakage NMOS连接,所述晶体管漏极通过时序追踪位线DBL与所述时序控制电路FSM logic电路连接,所述时序控制电路FSM logic电路与灵敏放大器SA连接,所述放电电路SINK连接在所述时序追踪位线DBL上,所述放电电路SINK还与追踪字线DWL连接,所述追踪字线DWL与字线WL连接,所述字线WL上接有存储单元cell,所述存储单元cell通过一对位线BL和BLB连接在所述灵敏放大器SA上。

2.根据权利要求1所述的基于温度补偿的SRAM灵敏放大器,其特征在于,所述N个Dummy leakage NMOS用于模拟同一位线上的N个处于空闲状态的存储单元,且所述每个NMOS的栅极和源极都接地,所述放电电路SINK可以为NMOS电路或用存储单元构成。

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