[发明专利]一种太阳能电池片的正极栅线结构有效
| 申请号: | 201310713513.2 | 申请日: | 2013-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN103715279A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
| 发明(设计)人: | 符黎明;任常瑞;姜治平;陈培良 | 申请(专利权)人: | 常州时创能源科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
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| 地址: | 213300 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能电池 正极 结构 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池领域,具体涉及一种正面电极正极栅线结构。
背景技术
太阳能电池栅线一般是由银浆制成的,银浆通过特定的网版印刷在太阳能电池正面上,然后通过烘干、高温烧结而成。由于栅线由不透光的金属材料制成,直接影响到电池表面的透光面积,因此,为了尽量减少遮光效果,必须尽量控制栅线所占的总面积。而栅线的截面积大小决定其导电性能,从导电性考虑,较粗的栅线具有较好的导电性,过细的栅线也容易断裂。
为了控制栅线所占的总面积,可以采用银浆点作为接触电极,然后通过金属丝栅线(如银丝)串联若干银浆点来汇集各点的电流。银浆点由银浆通过印刷后烧结而成,可与硅基片良好欧姆接触。这样可有效降低银浆用量,减少栅线所占的总面积。但是,由于单根金属丝栅线一般要串联较多(几十个,甚至上百个)银浆点,故金属丝栅线的布线定位需要很精确,即金属丝栅线的走线要对准每一个银浆点,否则会偏离银浆点,或与银浆点不能可靠接触,从而影响电流收集。
特别是整个太阳能电池片的正极栅线结构呈网状结构时,对金属丝栅线定位要求会大大提高,若金属丝栅线定位出现系统性偏差,会造成大批金属丝栅线与银浆点不能可靠接触,甚至是大批金属丝栅线偏离银浆点,严重影响电流收集,造成太阳能电池报废。
故为了保证在布线过程中金属丝栅线与银浆点对准,对设备的要求很高,工艺成本也会提高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种太阳能电池片的正极栅线结构,其能控制栅线所占的总面积,减少栅线的遮光面积,并且方便金属丝栅线对准接触电极,保证栅线电极良好欧姆接触。
为实现上述目的,本发明的技术方案是设计一种太阳能电池片的正极栅线结构,包括若干金属丝栅线,所述金属丝栅线串接若干长条形接触电极;所述接触电极由银浆通过印刷后烧结而成,长度为50μm -2mm;连接于同一金属丝栅线的接触电极与该金属丝栅线的相交角度为90±5度。
本发明通过金属丝栅线串联若干接触电极来汇集电流,接触电极由银浆通过印刷后烧结而成,可与硅基片良好欧姆接触,大大降低银浆用量,金属丝栅线宽度远小于常规由银浆制成的栅线,有效控制了栅线所占的总面积,大大减少了栅线的遮光面积。
本发明还将不便于定位的银浆点优化为长条形接触电极,长条形接触电极长度为50μm-2mm,与金属丝栅线的相交角度为90±5度,可以提高接触电极与金属丝栅线的接触宽度,降低金属丝栅线布线定位的精确要求,使金属丝栅线的走线容易对准每一个银浆接触电极,保证栅线电极良好欧姆接触。
特别是整个太阳能电池片的正极栅线结构呈网状结构时,本发明对金属丝栅线定位要求更是会大大降低,即使金属丝栅线定位出现系统性偏差,也能保证金属丝栅线在出现偏移后落在接触电极的(长条形)接触宽度上,更是杜绝了金属丝栅线整体偏离接触电极,从而确保金属丝栅线与接触电极的可靠接触,保证了良好的电流收集。
优选的,所述各接触电极的延伸方向相同且呈行列分布,以接触电极的延伸方向为列向,同一行上的接触电极等距离分布,相邻行的间距相同。可以使接触电极均匀布置在硅基片上,提高电流收集的效率。
优选的,相邻行的接触电极相互错位。更优选的,上一行的单个接触电极在下一行的两个相邻接触电极的行向中间。对于相邻行中间的硅基片来说,接触电极布置的更紧密,收集电流更充分,从而进一步提高电流收集的效率;另外,每个接触电极端点的电流拥堵现象会得到明显改善,能进一步降低电池的串联电阻。
优选的,同一行的接触电极沿行向排序,各行上对应位序的接触电极在同一直线上。即接触电极呈线段状与金属丝栅线相交,便于接触电极的印刷。
优选的,还包括连接金属丝栅线的至少一根主栅。
优选的,连接于同一主栅的金属丝栅线等距离分布。
优选的,连接于同一主栅的金属丝栅线与该主栅垂直。
优选的,所述金属丝栅线为银丝、铜丝、掺银合金丝或镀层金属丝。
优选的,所述镀层金属丝为镀钯铜丝、镀锡铜丝、镀银铜丝或镀镍铜丝。
综上所述,本发明的正极栅线结构能控制栅线所占的总面积,减少栅线的遮光面积,并且方便金属丝栅线对准接触电极,保证栅线电极良好欧姆接触,保证了良好的电流收集,提高了电流收集的效率,提高了太阳能电池片的光电转换效率。本发明印刷时对设备要求低,工艺难度小,便于大量产业化。
附图说明
图1是本发明实施例1的示意图;
图2是本发明实施例2的示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





