[发明专利]改型惠斯通半桥电路及传感器

权利要求书

1. 一种改型惠斯通半桥电路，包括两个半桥电阻单元，两个半桥电阻单元的一端经第一连接导体电连接，两个半桥电阻单元的另一端分别设有第二连接导体和第三连接导体，其特征在于：其中至少一个半桥电阻单元由至少两个电阻支路并联构成，两个半桥电阻单元的电阻不对称性不大于±5%。

2. 根据权利要求1所述的改型惠斯通半桥电路，其特征在于：两个半桥电阻单元中，一个半桥电阻单元由一个电阻支路构成，另一个半桥电阻单元由两个电阻支路并联构成，该两个电阻支路的另一端由第二连接导体电连接。

3. 根据权利要求1或2所述的改型惠斯通半桥电路，其特征在于：每个电阻支路为一个电阻或者由多个电阻串联或并联构成。

4. 一种传感器，其特征在于：设有权利要求1至4中任一权利要求所述的改型惠斯通半桥电路，所述两个半桥电阻单元由能感应被检测信号而产生电阻值变化的敏感电阻构成。

5. 根据权利要求4所述的传感器，其特征在于：所述敏感电阻为磁阻，各个磁阻的磁场敏感方向相同或相反设置，构成磁传感器。

6. 根据权利要求5所述的传感器，其特征在于：所述磁阻选自隧道磁阻、巨磁阻、各向异性磁阻、或霍尔磁阻。

7. 根据权利要求5或6所述的传感器，其特征在于：设有偏置磁场，所述磁阻的磁场敏感方向与偏置磁场方向相同或相反设置，构成具有偏置磁场的磁传感器。

8. 根据权利要求7所述的传感器，其特征在于：所述偏置磁场为梯度场,磁阻的磁场敏感方向相同且被布置在偏离零偏置磁场且偏置磁场梯度较小的位置，同时磁阻不被偏置磁场饱和。

9. 根据权利要求8所述的传感器，其特征在于：所述偏置磁场采用南极-北极-南极或北极-南极-北极组合，磁阻被偏置在南极与北极之间偏置磁场梯度较小且磁阻随偏置磁场增加的位置。