[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法在审
| 申请号： | 201310698757.8 | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN104733313A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 刘海龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 形成 方法 | ||
1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于：包括：
提供半导体衬底；
刻蚀所半导体衬底，形成鳍片；
在所述半导体衬底上形成氧化物层，且所述氧化物层覆盖所述鳍片；
刻蚀所述氧化物层，露出部分高度的鳍片，在露出部分的鳍片的侧壁残留有部分氧化物层；
向所述鳍片的侧壁残留的氧化物层内注入离子；
去除鳍片侧壁注入离子的氧化物层。
2.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，离子注入的能量为1～10Kev，剂量为1×1014～1×1016cm-2。
3.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述离子包括N、He或Ar。
4.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，离子注入的角度为与所述鳍片高度方向呈10～80°。
5.如权利要求4所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，离子注入角度为与所述鳍片高度方向呈30～60°。
6.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，刻蚀去除鳍片侧壁注入离子的氧化物层的工艺为湿法刻蚀工艺。
7.如权利要求6所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺包括：采用氢氟酸水溶液作为刻蚀剂，所述氢氟酸水溶液的体积浓度为0.1%～1%，温度为20～60℃。
8.如权利要求7所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的持续时间为10～60s。
9.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，去除鳍片侧壁注入离子的氧化物层之后，进行退火工艺。
10.如权利要求9所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述退火工艺的温度为30℃～200℃，持续退火时间为10～60s。
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