[发明专利]一种LED封装结构及其圆片级封装方法

权利要求书

1.一种圆片级LED封装方法，包括如下工艺步骤：

提供一带有绝缘层Ⅰ（510’）的硅圆片，在绝缘层Ⅰ（510’）的表面形成金属反光层（410、420）；

在金属反光层（410、420）的表面形成金属栅（311、312），再在金属栅（311、312）的表面电镀金属连接层（321、322）；

将带有电极（210、220）的LED芯片（200）倒装固定至金属连接层（321、322）上； 

将透光层（700）键合至LED芯片（200）的上方；

依次利用光刻、刻蚀工艺，在硅圆片的背面形成硅通孔（111）；

在硅圆片的背面沉积绝缘层Ⅱ（520），再在硅通孔（111）内，依次通过光刻、刻蚀的方式形成贯穿绝缘层Ⅰ（510）和绝缘层Ⅱ（520）的绝缘层开口（501、502）；

依次通过溅射、光刻、电镀的方式，在绝缘层Ⅱ（520）的表面形成金属层Ⅰ（810）、金属层Ⅱ（820）和金属层Ⅲ（830），其中金属层Ⅰ（810）与金属层Ⅱ（820）分别通过绝缘层开口（501、502）与金属反光层（410、420）连接，金属层Ⅲ（830）设置于金属层Ⅰ（810）、金属层Ⅱ（820）之间；

将完成封装的硅圆片切割成单颗独立的封装体。

2.根据权利要求1所述的一种圆片级LED封装方法，其特征在于：通过如下步骤在绝缘层Ⅰ（510’）的表面形成金属反光层（410、420）： 

在绝缘层Ⅰ（510’）的表面通过溅射形成金属反光层（400）；

在金属反光层（400）的表面通过光刻工艺形成光刻胶图形（401）；

以光刻胶图形（401）为掩膜，刻蚀金属反光层（400），形成金属反光层（410、420）。

3.根据权利要求2所述的一种圆片级LED封装方法，其特征在于：在金属反光层（410、420）的表面形成金属栅（311、312），包括步骤：

在金属反光层（410、420）的表面对应倒装LED芯片（200）处溅射金属种子层；

在金属种子层的表面通过光刻工艺形成光刻胶图形（301）；

以光刻胶图形（301）为掩膜，电镀若干个条状金属柱/块；

用去胶工艺去除光刻胶图形（401）和无效区域的金属种子层。

4.根据权利要求3所述的一种圆片级LED封装方法，其特征在于：将带有电极（210、220）的LED芯片（200）倒装固定至金属连接层（321）上之后还包括步骤：

在LED芯片（200）与金属反光层（410、420）的间隙填充填充剂（610）。

5.根据权利要求4所述的一种圆片级LED封装方法，其特征在于：将透光层（700）键合至LED芯片（200）上方之前包括步骤：

在LED芯片（200）表面喷涂荧光粉胶层（630）；

 在完成荧光粉胶层（630）的封装结构上印刷粘合剂Ⅰ（621），并固化和整平粘合剂Ⅰ（621）；

再利用旋转涂胶的方式涂上粘合剂Ⅱ（622），与透光层（700）键合，然后固化粘合剂Ⅱ（622）。

6.根据权利要求5所述的一种圆片级LED封装方法，其特征在于：利用光刻、刻蚀工艺形成硅通孔（111）之前包括步骤：

硅圆片的背面进行减薄处理，至硅圆片的厚度不超过200um。