[发明专利]一种高比容电极薄膜及其制造方法

权利要求书

1.一种制造高比容电极薄膜的方法，其特征在于，包括：

步骤A：将氧化石墨烯材料分散于有机溶剂中，获得氧化石墨烯分散液；

步骤B：将所述氧化石墨烯分散液铺展于LB膜槽中的去离子水表面，并采用LB成膜方法将氧化石墨烯转移沉积至基片表面；

步骤C：将所述基片上的氧化石墨烯还原为还原氧化石墨烯；

步骤D：用电化学沉积方法在所述还原氧化石墨烯表面沉积金属氧化物；

步骤E：用化学气相沉积方法在所述金属氧化物层上沉积导电聚合物。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤C包括：将沉积了所述氧化石墨烯的所述基片置于含有水蒸气的高温密闭环境进行还原。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述高温密闭环境的温度为190至210摄氏度。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述金属氧化物为二氧化锰、二氧化钌或二氧化钒。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述导电聚合物为聚苯胺、聚噻吩或聚3,4-乙烯二氧噻吩。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述基片为氧化铟锡或者铝箔。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述有机溶剂为甲醇或异丙醇的去离子水溶液。

8.一种高比容电极薄膜，其特征在于，包括：

基片；

还原氧化石墨烯层，所述还原氧化石墨烯层形成在所述基片上；

金属氧化物层，所述金属氧化物层形成在所述还原氧化石墨烯层上；

导电聚合物层，所述导电聚合物层形成在所述金属氧化物层上。

9.如权利要求9所述的高比容电极薄膜，其特征在于：所述金属氧化物为二氧化锰、二氧化钌或二氧化钒。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于：所述导电聚合物为聚苯胺、聚噻吩或聚3,4-乙烯二氧噻吩。