[发明专利]一种制造黑硅材料的方法无效
| 申请号： | 201310694318.X | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN103681970A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 李世彬;张婷;吴志明;蒋亚东 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/028;H01L31/0288 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 谭新民 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制造 材料 方法 | ||
1.一种制造黑硅材料的方法，其特征在于，包括：
在硅衬底上形成掩膜层；
在所述掩膜层上光刻形成预定图形通孔阵列，获得图形掩膜硅衬底；
对所述图形掩膜硅衬底进行刻蚀，在所述硅衬底上形成预定图形凹槽阵列；
从所述硅衬底上去除所述掩膜层；
将所述硅衬底置于含硫气体中，并用激光脉冲辐照所述硅衬底，获得所述黑硅材料。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述含硫气体为六氟化硫气体或者硫化氢气体。
3.如权利要求1或者2所述的方法，其特征在于：所述激光波长为400纳米至1000纳米。
4.如权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于：所述激光脉冲为500至2100个。
5.如权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于：所述激光脉冲的宽度为100飞秒至10纳米。
6.如权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于：所述含硫气体的气压为60至70千帕。
7.如权利要求1至6中任意一项所述的方法，其特征在于：所述掩膜层为氮化硅层、氧化硅层、铝层、钛层或者镍镉合金层。
8.如权利要求1至6中任意一项所述的方法，其特征在于：所述预定图形为圆形、矩形、正方形和/或椭圆形。
9.如权利要求1至6中任意一项所述的方法，其特征在于，对所述图形掩膜硅衬底进行刻蚀的步骤包括：用反应粒子刻蚀法、离子选择注入辅助电化学刻蚀法或者化学刻蚀法对所述图形掩膜硅衬底进行刻蚀。
10.如权利要求1至6中任意一项所述的方法，其特征在于：所述预定图形通孔阵列的周期为1至2微米和/或所述预定图形通孔阵列中的通孔的直径为1至2微米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
