[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一衬底基板；

通过一次构图工艺在所述衬底基板上形成栅电极和栅线的图形；

通过一次构图工艺在形成有所述栅电极和栅线的衬底基板上形成像素电极、数据线、源电极、漏电极和公共电极线的图形；

通过一次构图工艺在形成有所述像素电极、数据线、源电极、漏电极和公共电极线的衬底基板上形成有源层的图形；

通过一次构图工艺在形成有所述有源层的衬底基板上形成包括有过孔的钝化层的图形；

通过一次构图工艺在形成有所述钝化层的衬底基板上形成公共电极的图形，所述公共电极通过所述过孔与所述公共电极线连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺在形成有所述栅电极和栅线的衬底基板上形成像素电极、数据线、源电极、漏电极和公共电极线的图形包括：

在基板上依次沉积第一透明导电层和源漏金属层；

通过一次构图工艺利用所述第一透明导电层形成所述像素电极的图形，利用所述源漏金属层形成所述源电极和漏电极的图形。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺利用所述第一透明导电层形成所述像素电极的图形，利用所述源漏金属层形成所述源电极和漏电极的图形包括：

在所述源漏金属层上涂覆光刻胶，采用灰色调掩膜板对光刻胶进行曝光，形成光刻胶未保留区域、光刻胶部分保留区域和光刻胶完全保留区域；

曝光显影之后完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的所述源漏金属层和所述第一透明导电层，形成所述像素电极的图形；

去除光刻胶部分保留区域的光刻胶，完全刻蚀掉光刻胶部分保留区域的所述源漏金属层，形成所述源电极和漏电极的图形；

去除光刻胶完全保留区域的光刻胶。

4.一种以权利要求1-3中任一项所述制作方法制作的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的像素电极位于源电极和漏电极之下，且所述阵列基板的栅电极和源电极、漏电极位于有源层的同一侧。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的有源层为透明金属氧化物半导体。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述透明金属氧化物半导体为非晶IGZO、HIZO、IZO、InZnO、ZnO、TiO₂、SnO、CdSnO中的一种或多种。

7.根据权利要求4-6中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具体包括：

衬底基板；

所述衬底基板上的栅电极和栅线；

所述栅电极和所述栅线上的栅绝缘层；

所述栅绝缘层上的像素电极；

所述像素电极上的数据线、源电极、漏电极和公共电极线；

所述数据线、源电极、漏电极和公共电极线上的有源层；

所述有源层上的包括有过孔的钝化层；

所述钝化层上的公共电极，所述公共电极通过所述过孔与所述公共电极线连接。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求4-7中任一项所述的阵列基板。