[发明专利]一种热膨胀系数适配微波毫米波模块集成结构制作方法

权利要求书

1.一种热膨胀系数适配微波毫米波模块集成结构制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、经过下料、线切割、铣削工艺过程制作屏蔽腔体坯体；

步骤2、采用铣削工艺加工缓冲片集成槽；

步骤3、经过下料、线切割、铣削工艺过程制作缓冲片；

步骤4、采用保护漆将屏蔽腔体坯体中缓冲片集成槽以外的区域进行喷涂，并预留缓冲片集成槽及其槽边1-2毫米作为局部电镀的工艺窗口；

步骤5、将缓冲片集成槽及其槽边1-2毫米采用电镀技术实现局部镀金处理，并将屏蔽腔体去除保护漆；

步骤6、将缓冲片的整体进行电镀金；

步骤7、将缓冲片焊接到缓冲片集成槽中；

步骤8、将焊接后的屏蔽腔体底部采用铣削工艺进行整平，并设置屏蔽腔体底部加工尺寸满足最终设计要求；

步骤9、将屏蔽腔体的整体镀金；

步骤10、将MMIC芯片集成到屏蔽腔体的缓冲片上。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤1中，设置坯体在需要焊接缓冲片能高出屏蔽腔体底部平面0.5-1.5毫米，以便形成良好焊接和后道铣削整平屏蔽腔底部平面。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤2中，所述集成槽位于腔体坯体正中间，且为正方形。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤3中，所述缓冲片的整体高度比预设计高度高出0.5-1.5毫米。

5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步骤7中，所述焊接的焊料熔点设置高于后道所有步骤的最高温度。

6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，设置所述缓冲片及缓冲片集成槽的外形尺寸不小于MMIC芯片外形尺寸的120%；所述缓冲片最终厚度及缓冲片集成槽的深度设置不小于屏蔽腔体的腔底厚度的50%。

7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述MMIC芯片集成位置应在缓冲片的中间位置。