[发明专利]带有金属化侧墙的半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

至少部分透明的衬底，包括第一表面和第二表面；

有源半导体结构，包括第一表面、第二表面以及至少一个侧墙，所述有源半导体结构的所述第一表面面向所述衬底的所述第二表面；

绝缘层，包围所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙的至少一部分；以及

金属层，包围所述绝缘层的至少外侧部分；

其中所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙呈锥形；其中所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙的第一部分具有与所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙的第二部分不同的锥度；以及

其中所述有源半导体结构包括在所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙的所述第一部分中且邻近所述有源半导体结构的所述第二表面的有源区，所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙的所述第一部分从所述有源区延伸至所述有源半导体结构的所述第二表面，所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙的所述第二部分从所述有源区延伸至所述有源半导体结构的所述第一表面。

2.根据权利要求1的器件，其中所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙从所述有源半导体结构的所述第一表面向内呈锥形。

3.根据权利要求1的器件，其中所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙的所述第一部分与所述有源半导体结构的所述第二表面形成圆形化的边缘。

4.根据权利要求1的器件，其中所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙的所述第一部分和所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙的所述第二部分包括各自的线性段，所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙的所述第一部分的所述线性段相对于所述有源半导体结构的所述第二表面的斜率大小要小于所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙的所述第二部分相对于所述有源半导体结构的所述第二表面的斜率大小。

5.根据权利要求1的器件，其中所述至少一个侧墙呈锥形，使得所述金属层将由所述有源半导体结构产生的光向所述衬底的所述第一表面反射。

6.根据权利要求1的器件，所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙的所述第一部分的锥形经配置以减小所述有源半导体结构的边缘处的应力集中区域，在所述有源半导体结构的边缘处所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙与所述有源半导体结构的所述第二表面交汇。

7.根据权利要求1的器件，其中包围所述有源半导体结构的所述侧墙的所述第一部分的所述绝缘层的第一部分厚于包围所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙的所述第二部分的所述绝缘层的第二部分。

8.根据权利要求1的器件，其中所述绝缘层包括至少部分透明的、钝化的抗反射绝缘层。

9.根据权利要求1的器件，其中所述绝缘层经配置以阻止对从有源区发射的光的表面吸收。

10.根据权利要求1的器件，其中所述器件实施为半导体激光器和发光二极管。

11.一种方法，包括：

形成至少部分透明的衬底，所述衬底包括第一表面和第二表面；

形成有源半导体结构，所述有源半导体结构包括第一表面、第二表面以及至少一个侧墙，所述有源半导体结构的第一表面面向所述衬底的所述第二表面；

形成绝缘层，所述绝缘层包围所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙的至少一部分；以及

形成金属层，所述金属层包围所述绝缘层的至少一外侧部分；

其中所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙呈锥形；其中所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙的第一部分具有与所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙的第二部分不同的锥度；以及

其中所述有源半导体结构包括在所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙的所述第一部分中且邻近所述有源半导体结构的所述第二表面的有源区，所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙的所述第一部分从所述有源区延伸至所述有源半导体结构的所述第二表面，所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙的所述第二部分从所述有源区延伸至所述有源半导体结构的所述第一表面。

12.根据权利要求11的方法，其中包围所述有源半导体结构的所述侧墙的所述第一部分的所述绝缘层的第一部分厚于包围所述有源半导体结构的所述至少一个侧墙的所述第二部分的所述绝缘层的第二部分。