[发明专利]阵列基板及其制作方法在审
| 申请号： | 201310660914.6 | 申请日： | 2013-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103676375A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 胡伟;莫再隆;楼钰;石天雷;朴承翊 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制作方法 | ||
1.一种阵列基板，包括：
玻璃基板；
形成于玻璃基板上的数据线、栅线以及薄膜晶体管；
覆盖所述数据线、栅线、薄膜晶体管的第一绝缘层；
其特征在于，所述阵列基板还包括：
位于所述第一绝缘层上方，与接地端子电连接的导电屏蔽层；
其中，所述导电屏蔽层位于所述数据线、栅线和薄膜晶体管所在区域内。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板为像素电极和公共电极都位于阵列基板上，但像素电极和公共电极不同层设置的水平电场型阵列基板。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板中，所述导电屏蔽层和像素电极和公共电极中位于上方的电极同层设置，且与像素电极和公共电极中位于上方的电极相互隔离。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述导电屏蔽层和像素电极和公共电极中位于上方的电极通过一次构图工艺形成。
5.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在玻璃基板上形成数据线、栅线以及薄膜晶体管；
形成覆盖所述数据线、栅线和薄膜晶体管的绝缘层；
形成位于所述第一绝缘层上方，与接地端子电连接的导电屏蔽层；
其中，所述导电屏蔽层位于所述数据线、栅线和薄膜晶体管所在区域内。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述阵列基板为像素电极和公共电极都位于阵列基板上，但像素电极和公共电极不同层设置的水平电场型阵列基板。
7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述阵列基板中，所述导电屏蔽层和像素电极和公共电极中位于上方的电极同层设置，且与像素电极和公共电极中位于上方的电极相互隔离。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述导电屏蔽层和像素电极和公共电极中位于上方的电极通过一次构图工艺形成。
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