[发明专利]一种抗弯曲拉锥光纤及其制造方法

权利要求书

1.一种抗弯曲拉锥光纤，其裸光纤由内至外依次包括芯层、内包层、下陷包层和外包层，所述外包层为石英包层，其特征在于：所述芯层、内包层、下陷包层的折射率依次减小，芯层相对外包层的相对折射率差为0.85～0.95%；内包层相对外包层的相对折射率差为0.10～0.20%；下陷包层相对外包层的相对折射率差为-0.15～-0.25%。

2.如权利要求1所述的抗弯曲拉锥光纤，其特征在于：所述芯层的直径为3.0～3.5μm，内包层的直径为9.0～10.5μm，下陷包层的直径为12.0～14.0μm，外包层的直径为124.5～125.5μm。

3.如权利要求1所述的抗弯曲拉锥光纤，其特征在于：所述抗弯曲拉锥光纤的截止波长小于980nm，980nm波长模场直径3.5～4.5μm，1550nm波长模场直径5.5～6.5μm。

4.一种基于权利要求1所述的抗弯曲拉锥光纤的制造方法，其特征在于，包括步骤：

利用改进的化学气相沉积法工艺，在石英反应管内依次沉积下陷包层、内包层以及芯层，沉积原料为四氯化硅、四氯化锗、三氯氧磷、六氟乙烷；

将沉积后的石英反应管在1750℃温度下熔缩成实心的芯棒；制备外包层，将所述芯棒形成光纤预制棒；将所述光纤预制棒固定在拉丝塔上，在2200℃温度下拉制成光纤。

5.如权利要求4所述的抗弯曲拉锥光纤的制造方法，其特征在于：首先在石英反应管内沉积下陷包层，控制四氯化硅、三氯氧磷、六氟乙烷的摩尔百分比为76.5：8.5：15；再沉积内包层，控制四氯化硅、四氯化锗、三氯氧磷、六氟乙烷的摩尔百分比为70：15：14：1；最后沉积芯层，控制四氯化硅、四氯化锗、六氟乙烷的摩尔百分比为43.5：51.5：5。

6.如权利要求4所述的抗弯曲拉锥光纤的制造方法，其特征在于：首先在石英反应管内沉积下陷包层，控制四氯化硅、三氯氧磷、六氟乙烷的摩尔百分比为80：6：14；再沉积内包层，控制四氯化硅、四氯化锗、三氯氧磷、六氟乙烷的摩尔百分比为65：15：15：5；最后沉积芯层，控制四氯化硅、四氯化锗、六氟乙烷的摩尔百分比为40：55：5。

7.如权利要求4所述的抗弯曲拉锥光纤的制造方法，其特征在于：首先在石英反应管内沉积下陷包层，控制四氯化硅、三氯氧磷、六氟乙烷的摩尔百分比为80：10：10；再沉积内包层，控制四氯化硅、四氯化锗、三氯氧磷、六氟乙烷的摩尔百分比为70：10.5：14.5：5；最后沉积芯层，控制四氯化硅、四氯化锗、六氟乙烷的摩尔百分比为45：54：1。