[发明专利]一种提高烧结钕铁硼材料性能的处理方法

权利要求书

1.一种提高烧结钕铁硼材料性能的处理方法，是在已经烧结的钕铁硼磁体基材的表面形成含有Dy、Tb、Ho、Al和Ga中的一种元素或多种元素组合的涂覆层，加热至所述磁体基材烧结温度以下的温度进行热处理，由此将涂覆层中的Dy、Tb、Ho、Al和Ga中的一种元素或多种元素扩散到所述磁体基材内部晶界处，改善磁体的微观结构和局部成分，提高烧结钕铁硼磁体的矫顽力的处理方法。

2.其步骤为：

a）首先采用速凝铸片工艺制成钕铁硼合金片，然后将钕铁硼合金片通过氢碎、气流磨制粉、磁场取向成型、等静压、真空烧结制备成钕铁硼的毛坯；

b)将含有Dy、Tb和Ho元素的稀土氧化物或氟化物，Al粉和金属Ga中的一种或多种混合物，溶于一定的无机溶剂内，为了增强溶剂的附着性能，溶剂内添加一定的增稠剂；

c)将钕铁硼磁体毛坯（未经过回火热处理），通过切片、线切割等机械加工成具有一定尺寸的中间品磁体，将中间品磁体置于上述的溶剂内浸泡2-10分钟，浸泡时物理搅拌或超声波搅拌，磁体取出后沥干，用热风将磁体吹干或者置于干燥箱中烘干；

d)将表面有涂覆层的中间品磁体在真空环境或惰性气体中进行回火热处理；

e)将经过回火热处理的中间品磁体，再通过磨床等机械加工，制成成品磁体。

3.权利要求1中所述的处理方法，其特征在于：所述的钕铁硼磁体的化学式为：Re_x1(Pr_x2Nd_x3)_xFe_{(100-x-y-z-x1-y1-y2-y3-y4-y5-y6)}B_yCo_zCu_y1Nb_y2Zr_y3Al_y4Ga_y5M_y6,其中质量百分比x:29.5-32.5；y:0.95-1.1；z:0-4；y1:0-0.3；y2:0-1；y3:0-0.3；y4:0-2；y5:0-1；y6:0-1；x1:0-15；x2:0-25；x3:75-100；Re为Dy、Tb、Ho、Gd、La、Ce和Y中的一种或多种组合；M为Si、Cr、Mo、Ti和W中的一种或多种组合。

4.权利要求2中所述的步骤，其特征在于：所述气流磨制粉的粉末粒度为：D50（中位径）为4-5.8μm，D(3,2)（表面积平均粒径）为2.7-4μm，最大粒径小于16μm。

5.权利要求2中所述的步骤，其特征在于：所述的真空烧结，其烧结温度为1040-1080℃，烧结保温时间为3-6小时。

6.权利要求2中所述的步骤，其特征在于：所述的稀土氧化物为Ho₂O₃、Dy₂O₃、Tb₄O₇中的一种或多种混合，稀土氟化物粉末为HoF₃、DyF₃、TbF₃中的一种或多种混合。

7.权利要求2中所述的步骤，其特征在于：所述的无机溶剂为硝酸、硫酸、盐酸或氢氟酸中的一种或多种的混合；所述的增稠剂为膨润土、硅藻土、硅凝胶。

8.权利要求2中所述的步骤，其特征在于：所述的磁体表面的涂覆层含有Dy、Tb、Ho、Al和Ga中的一种元素或多种元素；所述的中间品磁体厚度为0.3-7mm。

9.权利要求2中所述的步骤，其特征在于：所述的回火热处理为两级，一级热处理温度为800-950℃，时间为4-10小时；二级热处理温度为450-650℃，时间为2-6小时。