[发明专利]一种高比容量多孔硅氧化合物的制备方法

权利要求书

1.一种高比容量多孔硅氧化合物的制备方法，以一氧化硅为原料，其特征为，包括如下步骤：（1）将一氧化硅在保护气氛或真空条件下，于900-1200℃下处理8-20h，随炉冷却至室温；（2）将步骤（1）的产物置于塑料容器中，加入氢氟酸水溶液腐蚀处理，超声条件下反应；（3）将步骤（2）的反应液过滤，用去离子水洗涤，产物真空干燥，得到产品。

2.根据权利要求1所述的高比容量多孔硅氧化合物的制备方法，其特征在于：所述一氧化硅为微米颗粒，颗粒大小为325目。

3.根据权利要求1所述的高比容量多孔硅氧化合物的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，保护气氛为氮气、氩气、氮气氢气混合气或氩气氢气混合气。

4.根据权利要求1所述的高比容量多孔硅氧化合物的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，真空条件为压强小于10Pa。

5.根据权利要求1所述的高比容量多孔硅氧化合物的制备方法，其特征在于：步骤（2）中，往塑料容器中加入质量浓度为10-40%的氢氟酸水溶液腐蚀处理，氢氟酸与一氧化硅的摩尔比为1-2:1，超声条件下反应15-120min。

6.根据权利要求1所述的高比容量多孔硅氧化合物的制备方法，其特征在于：步骤（3）中，真空干燥的温度为80-120℃，时间为2-20h。

7.根据权利要求3所述的高比容量多孔硅氧化合物的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，保护气氛的气体为高纯气体，其中混合器中，氢气的体积比为10%。

8.根据权利要求4所述的高比容量多孔硅氧化合物的制备方法，其特征在于：步骤（1）中，真空条件为压强小于1×10^-2Pa。