[发明专利]导电薄膜、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的D₂O₃层，D导电层及V₂O₅层，其中，D₂O₃层为三氧化二铝，三氧化二镓或三氧化二铟，D导电层的材料为金属铝，金属镓或金属铟。

2.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述D₂O₃层的厚度为50nm～150nm，所述D层的厚度为10nm～70nm，所述V₂O₅层的厚度为1nm～10nm。

3.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将金属D和金属钒靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa，金属D为金属铝，金属镓或金属铟；

在所述衬底表面溅镀D₂O₃层，溅镀所述D₂O₃层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，溅射功率为30W～150W，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，工作气体为氩气，并通入反应气体氧气，衬底温度为250℃～750℃，沉积速率为1～10nm/s，得到D₂O₃薄膜基板为三氧化二铝，三氧化二镓或三氧化二铟；

停止通入氧气，在所述D₂O₃层表面溅镀D导电层，溅镀所述D导电层的工艺参数为：溅镀速率0.5nm/s～5nm/s，溅射功率为30W～80W，D导电层的材料为金属铝，金属镓或金属铟；

然后入氧气，在所述D导电层表面溅镀V₂O₅层，溅镀所述V₂O₅层的工艺参数为：溅镀速率0.3nm/s～3nm/s，溅镀功率为20W～60W，

剥离所述衬底，得到所述层叠的D₂O₃层，D导电层及V₂O₅层的导电薄膜。

4.根据权利要求3所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述反应气体氧气占氧气与氩气总摩尔比为1%～15%。

5.根据权利要求3所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述D₂O₃层的厚度为50nm～150nm，所述D导电层的厚度为10nm～70nm，所述V₂O₅层的厚度为1nm～10nm。

6.一种有机电致发光器件的基底，其特征在于，包括依次层叠的衬底、D₂O₃层，D导电层及V₂O₅层，其中，D₂O₃层为三氧化二铝，三氧化二镓或三氧化二铟，D导电层的材料为金属铝，金属镓或金属铟。

7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的基底，其特征在于，所述D₂O₃层的厚度为50nm～150nm，所述D导电层的厚度为10nm～70nm，所述V₂O₅层的厚度为1nm～10nm。