[发明专利]一种平板探测器超高真空蒸镀的方法

说明书

技术领域

本发明涉及平板探测器的制造方法，尤其涉及一种平板探测器超高真空蒸镀的方法。 

背景技术

在工业及医疗行业中X 射线探测器被广泛的应用，作为X 射线探测器必不可少的闪烁体部分也越来越重要。对于一些新型的医用闪烁体，制备单晶时十分困难，发展多晶陶瓷闪烁体是目前最重要的研究方向，多晶陶瓷闪烁体具有成本低、加工性能好，易于进行性能裁剪等优点，是目前医用闪烁体的首选。 

在新的X 射线诊断用探测器中，人们正在研发采用有源矩阵的平面探测器。在这种平面探测器中，利用闪烁层将探测到的X 射线变换为可见光或荧光，再通过非晶硅光电二极管等光电变换元件将这一荧光变换成信号电荷，进而将信号电荷转换为数字信号而输出图像，然而往往薄膜与衬底的结合力不够，而且图像的清晰度较差。 

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种平板探测器超高真空蒸镀的方法。 

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：一种平板探测器超高真空蒸镀的方法，具体步骤包括： 

（1）将衬底用piranha溶液清洗干净后烘干；

（2）将衬底放入真空室内，打开真空泵抽气，提高真空度；

（3）对真空室内的铝棒加高压电，使其产生辉光放电； 

（4）一段时间后关掉高压电，再次提高真空度并加热衬底并控制温度； 

（5）对蒸发源先通低功率电进行预热，然后在通规定功率的电开始蒸发； 

（6）蒸发完毕后停止抽气并开始充气；

（7）最后取出衬底。

在本发明一个较佳实施例中，步骤（1）中所述piranha溶液是将浓硫酸：双氧水按2：1的比例混合配置的。 

在本发明一个较佳实施例中，步骤（2）中所述真空度为1.0-0.1Pa。 

在本发明一个较佳实施例中，步骤（4）中所述温度控制在200℃<350℃。 

在本发明一个较佳实施例中，步骤（4）中所述真空度为< 1.0×10^-6Pa。 

本发明的有益效果是：本发明一种平板探测器超高真空蒸镀的方法使得薄膜的纯度更高，易于控制薄膜的成分和厚度，排出的污染物较少。 

具体实施方式

下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。 

本发明实施例包括：一种平板探测器超高真空蒸镀的方法，具体步骤包括： 

（1）将衬底用浓硫酸：双氧水按2：1的比例混合配置的piranha溶液清洗干净后烘干；

（2）将衬底放入真空室内，打开真空泵抽气，提高真空度到1.0-0.1Pa；

（3）对真空室内的铝棒加高压电，使其产生辉光放电； 

（4）一段时间后关掉高压电，再次提高真空度至< 1.0×10^-6Pa，加热衬底并控制温度在200℃<350℃； 

（5）对蒸发源先通低功率电进行预热，然后在通规定功率的电开始蒸发； 

（6）蒸发完毕后停止抽气并开始充气；

（7）最后取出衬底。

下面对本发明的一种平板探测器超高真空蒸镀的方法的工作原理进行详细介绍。 

将衬底用浓硫酸：双氧水按2：1的比例混合配置的piranha溶液清洗干净后烘干，将衬底放入真空室内，打开真空泵抽气，提高真空度到1.0-0.1Pa，对真空室内的铝棒加高压电，使其产生辉光放电，使得电子获得很高的速度，衬底表面迅速带有负电荷，在此吸引下正离子轰击衬底表面，衬底吸附层在活性气体之间产生化学反应，使得工件表面得到进一步清洗，一段时间后关掉高压电，再次提高真空度至< 1.0×10^-6Pa，加热衬底并控制温度在200℃<350℃，对蒸发源先通低功率电进行预热，然后在通规定功率的电开始蒸发，使膜料迅速的蒸发，蒸发完毕后停止抽气并开始充气，最后取出衬底。 

与现有技术相比，本发明一种平板探测器超高真空蒸镀的方法使得薄膜的纯度更高，易于控制薄膜的成分和厚度，排出的污染物较少。 

以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。