[发明专利]分割晶圆的方法以及集成电路晶圆

权利要求书

1.一种分割晶圆的方法，该晶圆具有硅衬底和位于硅衬底正面上的金属化层，其特征在于，该方法包括：

在金属化层中沿着各个切片槽形成沟道，各个切片槽位于金属化层中的多个集成电路之间，并且在金属化层的正面和硅衬底的背面之间延伸；

将硅衬底的背面减薄；

在将硅衬底的背面减薄之后，通过经由硅衬底的背面施加激光来改变部分硅衬底的晶体结构，这部分硅衬底位于切片槽中，并且偏离硅衬底的背面和金属化层；以及

通过拉伸硅衬底同时利用改变的晶体结构和沟道来沿着切片槽分割集成电路，其中

使裂纹在硅衬底中沿着切片槽扩展，以及

减少硅衬底和金属化层在切片槽之外断裂。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，改变部分硅衬底的晶体结构包括，改变偏离金属化层和硅衬底的背面的部分硅衬底的晶体结构，并且使部分硅衬底的晶体结构立即与金属化层和未发生改变的背面靠近。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，改变部分硅衬底的晶体结构包括，经由背面对硅衬底施加激光脉冲以熔化硅衬底，然后再沿着切片槽使硅衬底结晶。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，施加激光脉冲包括，使激光在金属化层和硅衬底的背面之间的硅衬底中集中汇聚在一个点上。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，施加激光脉冲包括，施加连续的激光脉冲，使脉冲之间的时间间隔足够防止衬底的温度超过可能损坏集成电路的阈值。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，改变部分硅衬底的晶体结构包括：

改变硅衬底中的第一部分的晶体结构，该第一部分位于切片槽中，并且在硅衬底的第一深度处；以及

改变硅衬底中的第二部分的晶体结构，该第二部分位于切片槽中，并且在硅衬底的第二深度处，硅衬底中的第一深度和第二深度通过切片槽中晶体结构未发生改变的部分硅衬底被分隔开。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在金属化层中形成沟道包括，形成深度小于金属化层的厚度的沟道。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在金属化层中形成沟道包括，形成深度是金属化层的厚度的90％的沟道。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在金属化层中形成沟道之后并且在将硅衬底的背面减薄之前，

将第一层支撑带放置在金属化层上；以及

当使用该支撑带来支撑晶圆和减少晶圆的断裂时，将晶圆倒装以使晶圆正面朝下。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括将切割带放置在第一层支撑带的背面上。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，

在金属化层中形成沟道包括形成不完全延伸通过金属化层的沟道，在金属化层和未发生改变的硅衬底之间留有接口；

施加激光包括将激光集中以使切片槽中的部分硅衬底的晶体结构靠近背面和未发生改变的接口；以及

还包括在沿着切片槽分割集成电路之前，利用接口处的金属化层和切片槽中硅衬底的未发生改变的部分来减少晶圆的断裂。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，还包括在改变部分硅衬底的晶体结构之后并且在分割集成电路之前：

将第二层支撑带放置在晶圆的背面上；

去除第一层支撑带；以及

在分割集成电路的同时使用第二层支撑带、接口处的金属化层以及切片槽中硅衬底的未发生改变的部分来减少晶圆的断裂时，将晶圆倒装以使晶圆正面朝上。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，还包括在将晶圆倒装以使晶圆正面朝上之前，将一层切割带放置在第二层支撑带的背面上。