[发明专利]高性能全介质干涉多层膜-TCO串联型滤光器及其制备方法

权利要求书

1.一种高性能全介质干涉多层膜-TCO串联型滤光器，其特征在于，该滤光器包含：

     基底（10），

     设置在基底（10）第一面上的TCO膜层（20）；

     设置在TCO膜层（20）上的全介质多层膜（30）；及

     设置在基底（10）第二面上减反射膜层（40）；

     所述的全介质多层膜（30）是由若干层高折射率介质膜与低折射率介质膜交替叠加构成。

2.如权利要求1所述的高性能全介质干涉多层膜-TCO串联型滤光器，其特征在于，所述的全介质多层膜（30）由8-50层高折射率介质膜、低折射率介质膜形成，其中，每层高折射率介质膜、低折射率介质膜的厚度为10-400nm。

3.如权利要求1或2所述的高性能全介质干涉多层膜-TCO串联型滤光器，其特征在于，所述的高折射率介质膜为Si膜；所述的低折射率介质膜为SiO₂膜。

4.如权利要求1所述的高性能全介质干涉多层膜-TCO串联型滤光器，其特征在于，所述的减反射膜层（40）由若干层高折射率介质膜与低折射率介质膜交替叠加构成。

5.如权利要求4所述的高性能全介质干涉多层膜-TCO串联型滤光器，其特征在于，所述的减反射膜层（40）由4-20层高折射率介质膜与低折射率介质膜形成，其中，每层高折射率介质膜、低折射率介质膜的厚度为10-400nm ，所述的高折射率介质膜选择TiO₂膜，所述的低折射率介质膜为SiO₂膜。

6.一种根据权利要求1所述的高性能全介质干涉多层膜-TCO串联型滤光器的制备方法，其特征在于，该方法包含以下具体步骤：

       步骤1，在10-3Pa的真空度下，将TCO膜以蒸发法镀制在基底上；

       步骤2，对镀制好TCO膜层的基底进行退火处理得到TCO滤光器，退火温度为550℃，退火时间为20分钟；

       步骤3，将高折射率材料、低折射率材料分别放置于镀膜机内进行预熔，基底加温200℃，真空度为10-3Pa，将高折射率材料和低折射率材料蒸发起来，交替镀制在TCO滤光器表面；

        步骤4，在步骤3做好的滤光器的基底背面镀制减反射膜层，以增强可转化波段的透射率，得到全介质干涉介质膜-TCO串联滤光器。

7.如权利要求1所述的高性能全介质干涉多层膜-TCO串联型滤光器的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，TCO膜的镀制厚度达到300nm时，镀制完成。

8.如权利要求1所述的高性能全介质干涉多层膜-TCO串联型滤光器的制备方法，其特征在于，所述的高折射率介质材料为Si材料；所述的低折射率介质材料为SiO₂材料。

9.如权利要求1所述的高性能全介质干涉多层膜-TCO串联型滤光器的制备方法，其特征在于，在步骤3中，交替镀制每层高折射率材料层及低折射率材料层的厚度均为10~400nm，层数为8-50层。

10.如权利要求1所述的高性能全介质干涉多层膜-TCO串联型滤光器的制备方法，其特征在于，在步骤4中，所述的减反射膜层由4~20层高折射率介质层及低折射率介质层交替镀制形成，其中，每层高折射率介质膜、低折射率介质膜的厚度为10-400nm。