[发明专利]Ti2AlNb合金表面高发射率微弧氧化陶瓷涂层材料的制备方法

权利要求书

1.Ti₂AlNb合金表面高发射率微弧氧化陶瓷涂层材料的制备方法，其特征在于Ti₂AlNb合金表面高发射率微弧氧化陶瓷涂层材料的制备方法如下：

一、将Ti₂AlNb合金线切割为Φ30×3mm的试样，然后将试样的表面分别采用240#、400#、800#和1500#的SiC砂纸磨平，再用绒布抛光，然后在丙酮中超声清洗5～60min，再在无水乙醇中超声清洗5～30min，最后在空气中干燥；

二、将Na₂SiO₃溶于去离子水中搅拌至完全溶解，然后再加入添加剂及络合剂，得到电解液，电解液中Na₂SiO₃的浓度为5～50g/L，添加剂的浓度为0～40g/L，络合剂的浓度为0～50g/L；

三、将经过步骤一处理的Ti₂AlNb合金试样作为阳极，不锈钢作为阴极，在电压为300～700V、频率为200～800Hz、占空比为2～20%、电解液温度为20～100℃的条件下，微弧放电5～50min，得到陶瓷涂层试样，再将陶瓷涂层试样在去离子水中超声清洗5～30min，在空气中干燥，即得高发射率微弧氧化陶瓷涂层。

2.根据权利要求1所述Ti₂AlNb合金表面高发射率微弧氧化陶瓷涂层材料的制备方法，其特征在于步骤二中所述的添加剂是NH₄VO₃、纳米SiC粉末或微米Cr₂O₃粉末。

3.根据权利要求1所述Ti₂AlNb合金表面高发射率微弧氧化陶瓷涂层材料的制备方法，其特征在于步骤二中所述的络合剂是十二烷苯磺酸钠。

4.根据权利要求1、2或3所述Ti₂AlNb合金表面高发射率微弧氧化陶瓷涂层材料的制备方法，其特征在于步骤二电解液中Na₂SiO₃的浓度为8～45g/L，NH₄VO₃的浓度为0～30g/L，Cr₂O₃的浓度为0～30g/L，SiC的浓度为0～30g/L，络合剂的浓度为5～40g/L。

5.根据权利要求1、2或3所述Ti₂AlNb合金表面高发射率微弧氧化陶瓷涂层材料的制备方法，其特征在于步骤三中电压为320～680V。

6.根据权利要求1、2或3所述Ti₂AlNb合金表面高发射率微弧氧化陶瓷涂层材料的制备方法，其特征在于步骤三中频率为250～750Hz。

7.根据权利要求1、2或3所述Ti₂AlNb合金表面高发射率微弧氧化陶瓷涂层材料的制备方法，其特征在于步骤三中占空比为5～15%。

8.根据权利要求1、2或3所述Ti₂AlNb合金表面高发射率微弧氧化陶瓷涂层材料的制备方法，其特征在于步骤三中电解液温度为25～90℃。

9.根据权利要求1、2或3所述Ti₂AlNb合金表面高发射率微弧氧化陶瓷涂层材料的制备方法，其特征在于步骤三中微弧放电时间为8～45min。