[发明专利]感应芯片封装方法在审
| 申请号: | 201310589641.0 | 申请日: | 2013-11-20 |
| 公开(公告)号: | CN104659041A | 公开(公告)日: | 2015-05-27 |
| 发明(设计)人: | 何孟南;林建亨;郑清水;周柏文 | 申请(专利权)人: | 硕达科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 感应 芯片 封装 方法 | ||
1.一种感应芯片封装方法,包含有下列步骤:
a)提供一感应芯片(22),该感应芯片(22)设有复数导电接点(222)以及一感测区(224);
b)将该感应芯片(22)由一黏着剂(24)黏着贴合于一电路基板(21)上;该电路基板(21)设有复数导电接点(212);
c)将一模坝(25)容设于该感应芯片(22)的感测区(224)与该导电接点(222)之间的区域;
d)将复数导线(23)分别连接于该电路基板(21)的导电接点(212)与该感应芯片(22)的导电接点(222);以及
e)将一封装体(26)设置于该电路基板(21)上及该感应芯片(22)上;该封装体(26)包覆该些导线(23)与该模坝(25)。
2.根据权利要求1所述的感应芯片封装方法,其中,步骤d)工艺可设置于步骤c)工艺之前,其后再接续完成步骤c)工艺及步骤e)工艺,不影响该整体感应芯片封装结构(20)的成型。
3.根据权利要求1所述的感应芯片封装方法,其中,步骤c)工艺可设置于步骤b)工艺之前,其后再接续完成步骤d)工艺及步骤e)工艺,不影响该整体感应芯片封装结构(20)的成型。
4.根据权利要求1或2或3所述的感应芯片封装方法,其中,该封装体(26)的一顶面(262)上设置一遮盖件(28),使得该感应芯片(22)的感测区(224)位于该遮盖件(28)的下方,且自形成一感测空间(29)。
5.根据权利要求4所述的感应芯片封装方法,其中,该遮盖件(28)为一具透光性的物件。
6.根据权利要求1或2或3所述的感应芯片封装方法,其中,自该封装体(26)的顶面(262)朝向该感应芯片(22)的感测区(224)方向凹陷形成环绕于该感测区(224)上方的一凹槽(264),将一遮盖件(28)设置于该凹槽(264)之中。
7.根据权利要求6所述的感应芯片封装方法,其中该遮盖件(28)为一具透光性的物件。
8.根据权利要求1或2或3所述的感应芯片封装方法,其中,包含有一遮盖件(28)且设有至少一通孔(282),该感应芯片(22)的感测区(224)位于该遮盖件(28)的该通孔(282)下方。
9.根据权利要求1所述的感应芯片封装方法,其中,该模坝(25)是利用网印工艺直接网印涂布于该感应芯片(22)的感测区(224)与该导电接点(222)之间的区域。
10.根据权利要求1所述的感应芯片封装方法,其中,该模坝(25)是利用铸模工艺将该模坝(25)铸模成型后,再设置于该感应芯片(22)的感测区(224)与该导电接点(222)之间的区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硕达科技股份有限公司;,未经硕达科技股份有限公司;许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310589641.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:新型的半导体封装结构
- 下一篇:铁电存储单元的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





