[发明专利]铈铽双掺杂氧化钆发光材料、制备方法及其应用

权利要求书

1.一种铈铽双掺杂氧化钆发光材料，其特征在于：其化学式为Gd₂O₃：xCe³⁺，yTb³⁺，其中，x为0.01～0.05，y为0.01～0.06。

2.一种铈铽双掺杂氧化钆发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

根据Gd₂O₃：xCe³⁺，yTb³⁺各元素的化学计量比称取Gd₂O₃，CeO₂和Tb₄O₇粉体并混合均匀，其中，x为0.01～0.05，y为0.01～0.06；及

将混合均匀的粉体在900℃～1300℃下烧结0.5小时～5小时即得到化学式为Gd₂O₃：xCe³⁺，yTb³⁺的铈铽双掺杂氧化钆发光材料。

3.一种铈铽双掺杂氧化钆发光薄膜，其特征在于，该铈铽双掺杂氧化钆发光薄膜的材料的化学通式为Gd₂O₃：xCe³⁺，yTb³⁺，其中，x为0.01～0.05，y为0.01～0.06。

4.一种铈铽双掺杂氧化钆发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

根据Gd₂O₃：xCe³⁺，yTb³⁺各元素的化学计量比称取Gd₂O₃，CeO₂和Tb₄O₇粉体并混合均匀在900℃～1300℃下烧结0.5小时～5小时制成靶材，其中，x为0.01～0.05，y为0.01～0.06；

将所述靶材以及衬底装入脉冲激光沉积镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；及

调整脉冲激光沉积镀膜工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，衬底温度为250℃～750℃，激光能量为80mJ～300mJ，接着进行制膜，得到化学式为Gd₂O₃：xCe³⁺，yTb³⁺的铈铽双掺杂氧化钆发光薄膜，其中，x为0.01～0.05，y为0.01～0.06。

5.根据权利要求4所述的铈铽双掺杂氧化钆发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述真空腔体的真空度为5.0×10^-4Pa，基靶间距为60mm，脉冲激光沉积衬底温度为500℃，激光能量为150mJ。

6.一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，其特征在于，所述发光层的材料为铈铽双掺杂氧化钆发光材料，该铈铽双掺杂氧化钆发光材料的化学式为Gd₂O₃：xCe³⁺，yTb³⁺的铈铽双掺杂氧化钆发光材料，其中，x为0.01～0.05，y为0.01～0.06。

7.一种薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供具有阳极的衬底；

在所述阳极上形成发光层，所述发光层的材料为铈铽双掺杂氧化钆发光材料，该铈铽双掺杂氧化钆发光材料的化学式为Gd₂O₃：xCe³⁺，yTb³⁺的铈铽双掺杂氧化钆发光材料，其中，x为0.01～0.05，y为0.01～0.06；

在所述发光层上形成阴极。