[发明专利]一种钛或钛合金与树脂的复合体及其制备方法

权利要求书

1.一种钛或钛合金与树脂的复合体，其特征在于，所述复合体包括钛或钛合金基体（1）、铝膜层（3）、阳极氧化膜（4）和树脂层（5），其中，所述铝膜层（3）位于所述钛或钛合金基体（1）的至少部分表面上，所述阳极氧化膜（4）和所述树脂层（5）依次层叠设置在所述铝膜层（3）上。

2.根据权利要求1所述的钛或钛合金与树脂的复合体，其中，所述复合体还包括钛或钛合金打底层（2），所述钛或钛合金打底层（2）包裹所述钛或钛合金基体（1）的至少部分表面设置，且所述铝膜层（3）位于所述钛或钛合金打底层（2）的至少部分表面上。

3.根据权利要求2所述的钛或钛合金与树脂的复合体，其中，所述钛或钛合金打底层（2）包裹所述钛或钛合金基体（1）的全部表面设置；所述阳极氧化膜（4）、所述树脂层（5）与所述铝膜层（3）完全重合层叠。

4.根据权利要求2或3所述的钛或钛合金与树脂的复合体，其中，所述钛或钛合金打底层（2）的厚度为10-500nm，优选为100-300nm。

5.根据权利要求1-3中任意一项所述的钛或钛合金与树脂的复合体，其中，所述铝膜层（3）的厚度为8-15um，优选为10-12um。

6.根据权利要求1-3中任意一项所述的钛或钛合金与树脂的复合体，其中，所述阳极氧化膜（4）的厚度为2-15um，优选为4-8um。

7.根据权利要求1-3中任意一项所述的钛或钛合金与树脂的复合体，其中，所述阳极氧化膜（4）具有纳米孔，所述树脂层（5）通过所述纳米孔与所述阳极氧化膜（4）结合。

8.根据权利要求7所述的钛或钛合金与树脂的复合体，其中，所述纳米孔贯穿所述阳极氧化膜（4），并分布于朝向所述阳极氧化膜（4）的所述铝膜层（3）的表面上；所述树脂层（5）通过所述纳米孔与所述阳极氧化膜（4）和所述铝膜层（3）结合。

9.根据权利要求7或8所述的钛或钛合金与树脂的复合体，其中，所述纳米孔的孔径为1-200um，优选为20-160um；孔深为2-15um，优选为5-10um。

10.根据权利要求1-3中任意一项所述的钛或钛合金与树脂的复合体，其中，所述树脂层（5）为热塑性树脂，优选为聚苯硫醚、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚酰胺、聚碳酸酯中的至少一种。

11.一种钛或钛合金与树脂的复合体的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

（a）采用物理气相沉积在钛或钛合金基体（1）的至少部分表面上沉积铝膜层（3）；

（b）通过阳极氧化在所述铝膜层（3）的表面上形成阳极氧化膜（4）；

（c）将步骤（b）得到的样品进行电化学腐蚀处理，使所述阳极氧化膜（4）中形成纳米孔；

（d）在阳极氧化膜（4）的至少部分表面上注塑形成树脂层（5），使所述树脂层（5）通过所述纳米孔与所述阳极氧化膜（4）结合。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，在步骤（a）中，采用物理气相沉积先在钛或钛合金基体（1）的至少部分表面上沉积钛或钛合金打底层（2），再在所述钛或钛合金打底层（2）的至少部分表面上沉积铝膜层（3）；所述物理气相沉积的方式为磁控溅射镀膜。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，在步骤（a）中，沉积钛或钛合金打底层（2）的条件包括：以纯钛或钛合金为靶材，控制靶电源功率为6-11KW，优选为8-10KW；偏压为100-300V，优选为150-250V；占空比为20-70%，优选为40-60%；时间为5-20min，优选为10-15min。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，在步骤（a）中，沉积铝膜层（3）的条件包括：以纯铝为靶材，控制靶电源功率为9-15KW，优选为10-13KW；偏压为100-300V，优选为150-250V；占空比为20-70%，优选为40-60%；时间为80-150min，优选为100-120min。