[发明专利]一种计算机用Al/Zn0.83Li0.17O/p-Si MFS结构信息存储电容器的制备方法有效
| 申请号： | 201310529508.6 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103578929A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 何波;李耀刚;王宏志;张青红 | 申请（专利权）人： | 东华大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 201620 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 计算机 al zn sub 0.83 li 0.17 si mfs 结构 信息 存储 电容器 | ||
1.一种计算机用Al/Zn0.83Li0.17O/p-Si MFS结构信息存储电容器的制备方法，包括：
(1)将ZnO与Li2CO3粉末进行球磨，预烧，然后进行第二次球磨，加入重量百分比为5%的粘结剂PVA，压片，烧结，得到Zn0.83Li0.17O铁电陶瓷靶材；
(2)采用射频控溅射在硅衬底上生长高度c轴择优取向的Zn0.83Li0.17O铁电薄膜，其中所用的靶材为Zn0.83Li0.17O铁电陶瓷靶材；
(3)通过真空热蒸发，金属电极膜沉积在步骤(2)的硅片背面；然后通过金属掩膜版在Zn0.83Li0.17O铁电薄膜上直流磁控溅射金属电极膜，即得。
2.根据权利要求1所述的一种计算机用Al/Zn0.83Li0.17O/p-Si MFS结构信息存储电容器的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中球磨时间为12-24h。
3.根据权利要求1所述的一种计算机用Al/Zn0.83Li0.17O/p-Si MFS结构信息存储电容器的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中预烧温度为1000℃，预烧时间为2-3小时。
4.根据权利要求1所述的一种计算机用Al/Zn0.83Li0.17O/p-Si MFS结构信息存储电容器的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中压片具体为压成圆片，压力为322MPa；圆片的直径为60mm，厚度为4mm；烧结温度为800-850℃，烧结时间为50-72小时。
5.根据权利要求1所述的一种计算机用Al/Zn0.83Li0.17O/p-Si MFS结构信息存储电容器的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中硅片为P型、晶向为(100)、电阻率为2Ω·cm、厚度300微米。
6.根据权利要求1所述的一种计算机用Al/Zn0.83Li0.17O/p-Si MFS结构信息存储电容器的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中采用射频控溅射在硅衬底上生长高度c轴择优取向的Zn0.83Li0.17O铁电薄膜的工艺条件为：使用机械泵和涡轮分子泵联合抽使溅射腔体本底真空度达到5×10-4Pa，工作气体是纯氩气，氩气流量为80sccm，工作压强为2Pa，射频溅射时间30分钟，射频溅射功率为100W，衬底温度分别为500℃。
7.根据权利要求1所述的一种计算机用Al/Zn0.83Li0.17O/p-Si MFS结构信息存储电容器的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中Zn0.83Li0.17O铁电薄膜厚度为400nm。
8.根据权利要求1所述的一种计算机用Al/Zn0.83Li0.17O/p-Si MFS结构信息存储电容器的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中金属电极膜为铝金属电极膜，沉积厚度为1μm。
9.根据权利要求1所述的一种计算机用Al/Zn0.83Li0.17O/p-Si MFS结构信息存储电容器的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中通过金属掩膜版在Zn0.83Li0.17O铁电薄膜上直流磁控溅射金属电极膜的工艺条件为：采用JGP450型双室超高真空多功能磁控溅射设备通过金属掩模版直流磁控溅射1微米厚的Al金属电极膜在Zn0.83Li0.17O铁电薄膜上，Al电极面积为1×1mm2，本底真空度2×10-4Pa，溅射功率100W，工作气体纯Ar，氩气流量为80sccm，工作压强2Pa，衬底温度室温，靶基距7-8cm，溅射时间60分钟。
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