[发明专利]一种MOS结构的辐射剂量探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种MOS结构的辐射剂量探测器，从上到下依次包括顶电极，复合氧化层，衬底和底电极，所述复合氧化层又包括热氧化层和淀积层。

2.如权利要求1所述的辐射剂量探测器，其特征在于，所述热氧化层由图形化的衬底经热氧化形成。

3.如权利要求2所述的辐射剂量探测器，其特征在于，所述图形化的衬底为立柱或网状结构。

4.如权利要求1所述的辐射剂量探测器，其特征在于，所述淀积层与热氧化层由相同的氧化物构成。

5.如权利要求1所述的辐射剂量探测器，其特征在于，所述衬底包括硅衬底，所述复合氧化层包括复合二氧化硅层。

6.如权利要求1所述的辐射剂量探测器，其特征在于，所述顶电极和底电极为金属电极，所述金属包括铝和金。

7.一种MOS结构的辐射剂量探测器的制备方法，包括如下步骤：

1）衬底图形化；

2）将图形化的衬底进行热氧化，形成热氧化层；

3）进行氧化物填充，使氧化物充满上述热氧化层间隙，生成淀积层；

4）在淀积层之上和衬底之下分别制备金属电极，形成顶电极和底电极。

8.如权利要求7所述的辐射剂量探测器的制备方法，其特征在于，步骤1）中所述衬底包括硅衬底；步骤4）中所述金属电极包括铝电极和金电极，制备所述金属电极的方法包括溅射、蒸发和电镀。

9.如权利要求8所述的辐射剂量探测器的制备方法，其特征在于，步骤2）中，所述热氧化层包括由图形化的硅衬底热氧化成的二氧化硅立柱或网状结构。

10.如权利要求7所述的辐射剂量探测器的制备方法，其特征在于，步骤3）中，所述氧化物与图形化衬底热氧化的产物相同；填充氧化物的方法包括化学气相淀积法。