[发明专利]模拟方法及程序、模拟器、加工设备和制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种由信息处理装置执行计算的模拟方法，所述计算包括如下过程：

对入射于工件的表面上的任意位置上的第一通量从所述任意位置进行反向追踪，所述工件作为预定加工处理的对象；

在因所述第一通量的所述反向追踪的结果而使所述第一通量撞击所述工件的所述表面上的另一位置的情形中，计算第二通量并从所述另一位置对所述第二通量进行反向追踪，所述第二通量是所述第一通量通过在所述另一位置处散射而形成；以及

通过重复所述计算及对通量的所述反向追踪，当所述反向追踪的通量不再撞击所述工件的所述表面时，将该通量与入射于所述工件上的通量的角分布进行比较，且当该当前通量处于所述角分布内时，求出对于从所述第一通量至该当前通量的通量群组而言发生了所述散射的通量的量。

2.如权利要求1所述的模拟方法，其中，利用包括多个体素的体素模型来表达所述工件的所述表面，且所述任意位置及所述另一位置处于所述体素的重心位置处。

3.如权利要求1所述的模拟方法，其中，利用包括多个格点的弦模型来表达所述工件的所述表面，且所述任意位置及所述另一位置处于所述格点的位置处。

4.如权利要求1至3中任一项所述的模拟方法，其中，在反向追踪所述通量时，追踪轨迹是将对所述通量的作用考虑在内的曲线。

5.如权利要求1至3中任一项所述的模拟方法，其中，在从所述第一通量计算所述第二通量时，根据角度来计算所述第二通量，所述角度由所述另一位置的表面上的法线向量与所述第一通量形成。

6.如权利要求1至3中任一项所述的模拟方法，其中，在从所述第一通量计算所述第二通量时，根据存在于所述另一位置的表面上的沉积膜的膜厚度来考虑所述通量的能量损失。

7.如权利要求1至3中任一项所述的模拟方法，其中，在从所述第一通量计算所述第二通量时，能量是根据所述入射的通量的粒子质量以及构成所述另一位置的表面上的膜的原子质量而分布的。

8.如权利要求1至3中任一项所述的模拟方法，其中，所述散射是镜面散射或是考虑到角度变化的镜面散射。

9.如权利要求1至3中任一项所述的模拟方法，其中，所述通量的角度分布是利用解析公式、鞘模拟的结果、或者基于实际测量的数据库之中的至少任一者而获得。

10.如权利要求1至3中任一项所述的模拟方法，其还包括：通过获得离子散射通量并且通过利用所述离子散射通量对表面反应求解，来计算出蚀刻速率。

11.如权利要求10所述的模拟方法，其还包括：利用计算出的所述蚀刻速率，来计算形状发展及／或损伤、或者晶体缺陷、分布。

12.一种模拟程序，其是通过将工艺实施于信息处理装置而执行的，所述工艺包括：

对入射于工件的表面上的任意位置上的第一通量从所述任意位置进行反向追踪，所述工件作为预定加工处理的对象；

在因所述第一通量的所述反向追踪的结果而使所述第一通量撞击所述工件的所述表面上的另一位置的情形中，计算第二通量并从所述另一位置对所述第二通量进行反向追踪，所述第二通量是所述第一通量通过在所述另一位置处散射而形成；以及

通过重复所述计算及对通量的所述反向追踪，当所述反向追踪的通量不再撞击所述工件的所述表面时，将该通量与入射于所述工件上的通量的角分布进行比较，且当该当前通量处于所述角分布内时，求出对于从所述第一通量至该当前通量的通量群组而言发生了所述散射的通量的量。

13.一种模拟器，所述模拟器设置有运算单元，所述运算单元用于模拟对工件的预定加工处理，且所述模拟器包括的所述运算单元用于执行计算，所述计算包括权利要求1至11中任一项所述的模拟方法中的各过程。

14.一种加工设备，其包括：

权利要求13所述的模拟器；以及

加工单元，用于对所述工件执行所述预定加工处理。

15.如权利要求14所述的加工设备，其中，

所述模拟器具有输入单元，所述输入单元用于获得在执行所述预定加工处理时的加工条件，并且

由所述输入单元获得的所述加工条件包括：通过监控所述加工单元中的所述加工处理而获得的信息。