[发明专利]一种基于GTEM小室的辐射EMI测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及辐射EMI测试，尤其涉及一种基于GTEM小室的辐射EMI测试方法，属于电磁兼容技术领域。 

背景技术

随着科技的高速进步和经济的快速发展，各种电子产品广泛应用于人们的生产和生活中。这些电子产品同时工作时产生的电磁干扰问题日趋严重。电磁干扰问题不仅会影响电子产品的正常工作，也会影响人们的健康，因此对电子产品进行电磁兼容性测试研究越来越受到重视。

电磁兼容是指设备或者系统在一定电磁环境中的运行情况符合要求，并且不对处于同一电磁环境中的任何其他设备产生超过一定限度电磁骚扰的能力。电磁兼容测试包括EMI电磁干扰测试和EMS电磁敏感性测试两部分。目前，国内外主要的电磁兼容测试试验场地有开阔场、电波暗室、屏蔽室以及GTEM小室。GTEM小室作为试验场地与其他试验场地相比，具有截止频率高、场均匀性好、占地空间小以及建造成本低等优点。但是，开阔场作为公认的进行EMI测试的标准场地，任何其他场地的测试结果都要等效到开阔测试场中。目前针对GTEM小室主要有以下三种等效的测试方法和算法：Wilson算法、Lee算法和总功率算法。Wilson算法通过在GTEM小室中测试ETU（被测设备）不同朝向和旋转角度的辐射发射值计算出ETU等效的电偶极矩和磁偶极矩，继而计算出偶极子模型在开阔场中的场强值。Lee算法与Wilson算法测试过程类似，只是考虑了偶极子的相位问题，需要多测几组，计算过程中不需要求出ETU的等效偶极子分量。Lee算法在推导过程中，做了以下两点近似：①OATS中测试距离远大于EUT高度；②测试距离远大于天线高度。Lee算法的近似假设引入误差导致测试结果准确度较低。

发明内容

本发明提供了一种基于GTEM小室的辐射EMI测试方法，该测试方法在总功率算法基础上，以Lee算法进行相位补充，克服了总功率算法单独使用时未考虑相位因素和Lee算法单独使用时近似假设引入误差从而导致测试结果准确度较低的问题。

为实现上述目的，本发明采取以下技术方案：

 一种基于GTEM小室的辐射EMI测试方法，包括以下步骤：

第一步：将频点为f₀的标准被测品放置于电波暗室中测得其水平辐射场强 和垂直辐射场强；

第二步：将频点为f₀的标准被测品放置于GTEM小室内；

第三步：根据总功率算法测试要求，先后将标准被测品横向、竖向、纵向放置于GTEM小室，测得标准被测品以不同方向放置于GTEM小室时GTEM小室输出端口的等效电压信号、、；根据总功率算法计算得到标准被测品在开阔场中的水平极化等效辐射场强和垂直极化等效辐射场强；

第四步：根据Lee算法测试要求，先后将标准被测品横向、竖向、纵向放置于GTEM小室，逆时针转动转台的角度为0⁰，45⁰，90⁰，180⁰和270⁰，测得标准被测品以不同方向放置于GTEM小室、转台处于不同角度时GTEM小室输出端口的等效电压信号、、、、、、、、、、、、、、；根据Lee算法计算得到标准被测品在开阔场中的水平极化等效辐射场强和垂直极化等效辐射场强；

 第五步：计算频点f₀对应的水平极化相位补偿校准因子和垂直极化相位补偿校准因子：、；

第六步：将标准被测品换为任意被测设备放置于GTEM小室中，重复第三步、第四步，根据总功率算法得到对应的水平极化等效辐射场强和垂直极化等效辐射场强，根据Lee算法得到对应的水平极化等效辐射场强和垂直极化等效辐射场强，结合第五步中提取的相位补偿校准因子，将相应的计算结果带入公式、，和即为所要求得的测试结果。

可以采用频点f₀为10MHz的梳状源作为标准被测品，以保证采用所得的相位补偿校准因子应用于不同被测设备的测试时，都能保证测试结果的有效性。