[发明专利]一种具有环状集电极区域的晶体管

权利要求书

1.一种具有环状集电极区域的晶体管，包括第一导电类型的衬底、作为基极区域使用的第二导电类型外延层、第二导电类型埋入扩散层、作为基极引出区域使用的第二导电类型扩散层、作为发射极区域使用的第一导电类型扩散层、作为集电极区域使用的第一导电类型扩散层，作为集电极区域的第一导电类型扩散层在作为发射极区域的第一导电区域扩散层的周围圆环状形成；其特征在于，在所述作为基极区域使用的第二导电类型外延层中扩散有钨。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述衬底为单晶衬底。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述衬底为单晶硅衬底。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述晶体管还包括形成在基极区域上的绝缘层。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述绝缘层为PGS膜。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述晶体管还包括集电极、发射极和基极。

7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述集电极、发射极和基极用铝合金形成。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述集电极、发射极和基极用Al-Si形成。