[发明专利]基于压控振荡器的电压比较器在审
| 申请号： | 201310503688.0 | 申请日： | 2013-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103532555A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 刘洋;陈剑钊;荣丽梅;于奇;孔德钰;徐振涛 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03M1/12 | 分类号： | H03M1/12 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 濮云杉 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 压控振荡器 电压 比较 | ||
【权利要求书】：
1.基于压控振荡器的电压比较器，其特征包括：接收输入电压的压控振荡器和接收参考电压的压控振荡器分别连接至鉴频器的不同的输入端口，鉴频器的两个与所述输入端口对应的输出端口分别连接至电荷泵电路中对应的高电平控制端和低电平控制端，在电荷泵电路中设有电容，由电荷泵电路输出比较后的电平信号。
2.如权利要求1所述的基于压控振荡器的电压比较器，其特征为：所述的压控振荡器中包括至少3组由一个NMOS管和一个PMOS管组成的晶体管对，每组晶体管对中NMOS管的漏极和PMOS管的漏极均连接另一组晶体管对的NMOS管和PMOS管的栅极，比较的电压由尾电流源NMOS管的栅极输入，输出频率信号经各晶体管对后再经两个反向器输出。
3.如权利要求1所述的基于压控振荡器的电压比较器，其特征为：在电荷泵电路中所述的高电平控制端与一个NMOS管的栅极连接，所述的低电平控制端与一个PMOS管的栅极连接，恒定电流源通过辅助电路与所述NMOS管和PMOS管的源极连接，NMOS管和PMOS管的漏极通过两个反向器输出，在两个反向器的输入端还连接有接地的电容。
4.如权利要求1至3之一所述的基于压控振荡器的电压比较器，其特征为：所述的两个压控振荡器都是同级数的环形振荡器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310503688.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
