[发明专利]一种化学机械研磨的方法在审
| 申请号： | 201310502944.4 | 申请日： | 2013-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN104576356A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉;黎铭琦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 化学 机械 研磨 方法 | ||
1.一种化学机械研磨的方法，包括：
步骤a，提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有金属栅极，所述金属栅极的材料为金属铝；
步骤b，将所述半导体衬底置于第一研磨垫上进行研磨，所述第一研磨垫为硬研磨垫，经所述第一研磨垫研磨之后剩余的金属栅极的厚度范围为500埃至1000埃；
步骤c，将所述半导体衬底置于第二研磨垫上进行研磨，所述第二研磨垫为软研磨垫，所述第二研磨垫和所述半导体衬底之间的压强范围为大于0.5PSI小于等于0.8PSI，所述第二研磨垫的旋转速度为110rpm至150rmp，以减少第一划痕，所述第一划痕长度小于5微米，其中，在所述第二研磨垫上进行的研磨为最后研磨，用于去除部分层间电介质。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，调整所述步骤b和所述步骤c的研磨量以减少在金属栅极表面形成的第二划痕，其中所述第二划痕的长度大于5微米。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤c修正在所述金属栅极表面形成的第二划痕，其中所述第二划痕的长度大于5微米。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤c用于减少副产物对所述金属栅极表面平坦化的影响。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述副产物主要为氢氧化铝。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属栅极与半导体衬底之间还形成有高K介电层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
