[发明专利]用于发火的半导体桥无效
| 申请号： | 201310501414.8 | 申请日： | 2013-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103499245A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 黄友华 | 申请（专利权）人： | 成都市宏山科技有限公司 |
| 主分类号： | F42B3/13 | 分类号： | F42B3/13 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 发火 半导体 | ||
【权利要求书】：
1.用于发火的半导体桥，其特征在于：它包括衬底（1）、沉积在衬底（1）上的绝缘层（2）、沉积在绝缘层（2）上的半导体层（3）和沉积在半导体层（3）上的金属层（4），所述的金属层（4）上沉积有第一电极（5）和第二电极（6），所述的金属层（4）上还沉积有发火物质（7）。
2.根据权利要求1所述的用于发火的半导体桥，其特征在于：所述的半导体层（3）为硅。
3.根据权利要求1所述的用于发火的半导体桥，其特征在于：所述的第一电极（5）和第二电极（6）为铜或者铝。
4.根据权利要求1所述的用于发火的半导体桥，其特征在于：所述的发火物质（7）为金属氧化物。
5.根据权利要求4所述的用于发火的半导体桥，其特征在于：所述的发火物质（7）为氧化铜或氧化铁。
6.根据权利要求1所述的用于发火的半导体桥，其特征在于：所述的半导体层（3）的厚度大于0.5毫米且小于1毫米。
7.根据权利要求6所述的用于发火的半导体桥，其特征在于：所述的金属层（4）的厚度大于半导体层（3）的厚度。
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