[发明专利]一种p型外延衬底激光二极管的制造方法

权利要求书

1.一种p型外延衬底激光二极管的制造方法，其特征在于所述方法依次包括如下步骤：

（1）在蓝宝石衬底上外延生长p-GaN外延衬底；

（2）在p-GaN外延衬底上形成发光结构；

（3）对所述发光结构进行刻蚀，从而将p-GaN外延衬底外围的发光结构去除，仅保留p-GaN外延衬底中部区域上的发光结构；

（4）在p-GaN外延衬底的外围溅射形成p电极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

步骤（2）中形成所述发光结构的工艺过程为：在p-GaN外延衬底上自下而上依次形成p型界面层、发光层、n型界面层、n型注入层和n电极；

其中，步骤（4）中形成的p电极围绕发光结构形成，形成的p电极的厚度不大于p型界面层的厚度，并且p电极与发光结构之间具有空隙。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：

其中，p型界面层是p-Al_xIn_yGa_1-x-yP，发光层是超晶格结构的多量子阱层，形成该多量子阱层的材料为ZnO/Zn_1-aMg_aO/Zn_1-bAs_bO；n型界面层为n-Al_xIn_yGa_1-x-yN；n型注入层为n型NiO注入层；p电极为Au、Pt、Pt/Ni、Au/Ni或ITO（氧化铟锡），n电极为In、Al、Ga、Ag或ITO；

其中，0＜x≤1，0＜y≤1并且x+y≤1，优选地，0＜x≤0.45，0＜y≤0.55；

其中0＜a≤0.2、0＜b≤0.3，优选地，0＜a≤0.1、0＜b≤0.15。